[发明专利]环状液体收集装置有效
申请号: | 201610090995.4 | 申请日: | 2016-02-18 |
公开(公告)号: | CN107093567B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 苏左将;张宏源;张芳丕 | 申请(专利权)人: | 顶程国际股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环状 液体 收集 装置 | ||
本发明公开了一种环状液体收集装置,其包含环形外壳、多个液体收集板、多个软质折叠层及多个收集板延伸支架。多个液体收集板安装于环形外壳中。多个软质折叠层分别安装于多个液体收集板之间,以及多个收集板延伸支架分别连接于对应的多个液体收集板,以分别改变多个液体收集板的高度,使多个软质折叠层其中一个呈现伸张状态,以进行液体回收。借此,本发明的环状液体收集装置,可以避免回收液体相互污染。
技术领域
本发明涉及一种环状液体收集装置,且特别涉及一种软性材质的环状液体收集装置。
背景技术
近年来,由于半导体技术的日益进步,集成电路使用于电子设备的数量越来越多,功能也越来越强大。蚀刻技术则广泛地被应用在半导体工艺之中。
传统上,蚀刻技术可大致分为湿式蚀刻以及干式蚀刻。针对不同的材料及特征尺寸,制造者选择不同的蚀刻方式。湿式蚀刻主要是利用化学反应原理,使用化学蚀刻液与所欲蚀刻的层别进行反应,而将其溶解。因此,湿式蚀刻具有低工艺成本的优势。
湿式蚀刻使用不同的化学液体进行半导体材料的蚀刻。为了回收各种不同的化学液体,以及清洗半导体材料上残留化学液体所需的去离子水(DI Water),传统上简单的开口式单晶圆湿式蚀刻机使用不同高度的多个收集槽,以在不同的高度收集不同的液体,以减少化学液体的污染的情况。
因此,如何能提高液体收集槽的收集空间,避免化学液体的相互污染,为半导体的生产厂商及半导体生产设备的厂商所殷殷企盼。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种环状液体收集装置,可以避免回收液体相互污染。
本发明内容的一实施例是有关于一种环状液体收集装置,其包含有环形外壳,多个液体收集板安装于环形外壳中,多个软质折叠层分别安装于多个液体收集板之间,以及多个收集板延伸支架分别连接于对应的多个液体收集板,以分别改变多个液体收集板的高度,使多个软质折叠层其中一个呈现伸张状态以进行液体回收。
在一些实施例中,环形外壳还包含升降器开槽,以使多个收集板延伸支架经由升降器开槽,由环形外壳内部向外延伸。
在一些实施例中,环状液体收集装置还包含有收集板升降装置,以及多个收集板垂直升降器分别连接对应的多个收集板延伸支架,以改变多个液体收集板的高度。
在一些实施例中,收集板升降装置是液压收集板升降装置、气压收集板升降装置或马达收集板升降装置。
在一些实施例中,至少其中一个液体收集板可向上升高并超过环形外壳的高度,例如是液体收集板顶盖。
在一些实施例中,环状液体收集装置还包含有多个泄流口,其分别安装于对应的多个液体收集板,以将回收的液体向外排出至外部回收装置。
在一些实施例中,液体收集板由内侧向外侧与向下倾斜,以利用重力将回收的液体排出至外部回收装置。
在一些实施例中,环状液体收集装置还包含有主排气装置与多个排气阀,多个排气阀分别安装于对应的多个液体收集板,以将废气排出环状液体收集装置。
在一些实施例中,环状液体收集装置还包含有间隙排气阀,其安装于环形外壳,以将多个液体收集板与环形外壳之间的废气排出环状液体收集装置。
在一些实施例中,环状液体收集装置安装于湿式蚀刻机台中,湿式蚀刻机台的转盘位于环状液体收集装置中,以放置基材于其上,进行湿式蚀刻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造