[发明专利]紧凑芯片中的长半导体激光腔

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括：

具有限定了所述芯片的长度的长度的基底；

在所述基底上的第一外延激光器结构；

由波导在所述第一外延激光器结构中形成的第一激光腔；所述波导选自包括脊波导和掩埋异质结构(BH)波导的组；

所述腔具有大于所述芯片长度的长度；

所述腔具有被蚀刻的前输出腔面和被蚀刻的后腔面；以及

其中所述腔的至少一部分是沿着所述芯片的外围周边形成的。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述波导与芯片边沿间隔预定的距离。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述腔包括多个段，并且所述被蚀刻的后腔面位于距离所述腔的不同的段中的波导的预定距离处，而且该不同的段不是在后腔面的端部的段。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中选择所述腔长度以允许接合焊盘的直径在预定值之上。

5.如权利要求3所述的半导体芯片，其中所述预定距离超过50μm。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述被蚀刻的前腔面相对于所述基底呈45±1°角。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述被蚀刻的前腔面相对于所述基底呈90±1°角。

8.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述波导包括多个段以及所述腔包括连接所述段的一个或多个全内反射(TIR)蚀刻腔面。

9.如权利要求8所述的半导体芯片，其中每一个所述TIR蚀刻腔面与所述波导的对应一对段的角度为45°，所述TIR蚀刻腔面连接所述波导的对应一对段。

10.一种半导体芯片，包括：

具有限定了所述芯片的长度的长度的基底；

在所述基底上的第一外延激光器结构；

在所述基底上由波导在第一外延激光器结构中形成的第一激光腔；所述波导选自包括脊波导和掩埋异质结构(BH)波导的组；

其中所述腔具有大于所述芯片长度的长度，由所述波导的至少5个段形成并且包含至少4个全内反射(TIR)蚀刻腔面，每一个所述TIR蚀刻腔面与所述波导的对应一对段的角度为45°；其中所述波导的至少2个段彼此相邻并且所述相邻段之间的距离超过预定值；以及

所述腔具有被蚀刻的前输出腔面和被蚀刻的后腔面。

11.一种半导体芯片，包括：

具有限定了所述芯片的长度的长度的基底；

在所述基底上的第一外延激光器结构；其中所述外延结构是InAlGaN，该InAlGaN包括高缺陷密度区和低缺陷密度区，并且其中所述腔被包含在所述低缺陷密度区之内；

由波导在所述第一外延激光器结构中形成的第一激光腔；所述波导选自包括脊波导和掩埋异质结构(BH)波导的组；

所述腔具有大于所述芯片长度的长度；以及

所述腔具有被蚀刻的前输出腔面和被蚀刻的后腔面。

12.如权利要求1所述的半导体芯片，其中所述前腔面和所述后腔面通过每个腔面处的介电层的沉积而具有反射率改变。

13.一种半导体芯片，包括：

具有限定了所述芯片的长度的长度的基底；

在所述基底上的第一外延激光器结构；

由第一波导在所述第一外延激光器结构中形成的第一激光腔；所述波导选自包括脊波导和掩埋异质结构(BH)波导的组；

所述第一激光腔具有大于所述芯片长度的长度；以及具有被蚀刻的前输出腔面和被蚀刻的后腔面；

在所述基底上的第二外延激光器结构；以及

由第二波导在所述第二外延激光器结构中形成的第二激光腔；所述波导选自包括脊波导和掩埋异质结构(BH)波导的组；

所述第二激光腔具有被蚀刻的前输出腔面和被蚀刻的后腔面。