[发明专利]LED控制芯片和LED恒流控制电路

权利要求书

1.一种LED控制芯片(100)，其特征在于，包括：高压供电模块(103)、基准电压源(105)、驱动逻辑模块(102)、主功率开关管Q101、峰值电流控制模块(104)和恒流控制环路(106)；

所述高压供电模块(103)的输入端和主功率开关管Q101的电流输入端作为LED控制芯片的漏端，用于外接整流后的输入电压；

高压供电模块(103)用于降压转换，提供LED控制芯片(100)内部的供电电压VDD；高压供电模块(103)的输出端接基准电压源(105)；

所述基准电压源(105)的地端接LED控制芯片的芯片地，基准电压源(105)用于产生基准电压Vref、Vref1和Vref2，并分别给峰值电流控制模块(104)提供基准电压Vref，给恒流控制环路(106)提供基准电压Vref1和Vref2；

主功率开关管Q101的电流输出端作为LED控制芯片的源端，并且连接峰值电流控制模块(104)的采样端，峰值电流控制模块(104)的采样端用于外接电流峰值采样电阻；峰值电流控制模块(104)的输出端接驱动逻辑模块(102)的一个输入端；

恒流控制环路(106)具有一个采样端，用于外接电流平均值采样电阻；恒流控制环路(106)的输出端接驱动逻辑模块(102)的另一个输入端；

驱动逻辑模块(102)的输出端接主功率开关管Q101的控制端；

当主功率开关管Q101开通时，流过主功率开关管Q101的电流开始上升；当主功率开关管Q101的电流到达所述峰值电流控制模块(104)设定的基准时，所述峰值电流控制模块(104)输出开关关断信号，通过所述驱动逻辑模块(102)关断所述主功率开关管Q101；当恒流控制环路探测到连接的电流平均值采样电阻在一个开关周期内的电压平均值低于所述恒流控制环路设定的基准值时，所述恒流控制环路输出控制信号，通过所述驱动逻辑模块重新打开所述主功率开关管Q101。

2.如权利要求1所述的LED控制芯片(100)，其特征在于：

恒流控制环路(106)包括运算放大器U301和U307、比较器U306、NMOS管Q302和Q305、PMOS管Q308和Q309、电阻R303和R310、电容C304；

运算放大器U301的同相输入端用于连接电流平均值采样电阻上的采样电压CS，输出端接NMOS管Q302的栅极，NMOS管Q302的源极接运算放大器U301的反相输入端和电阻R303的一端，电阻R303的另一端接芯片地；

运算放大器U307的同相输入端接基准电压Vref1，输出端接NMOS管Q305的栅极；NMOS管Q305的源极接运算放大器U307的反相输入端和电阻R310的一端，电阻R310的另一端接芯片地；

PMOS管Q308和Q309的源极相接并连接供电电压VDD，栅极也相接；PMOS管Q308的栅极接漏极，并连接NMOS管Q302的漏极；

PMOS管Q309的漏极接电容C304的一端、NMOS管Q305的漏极和比较器U306的反相输入端；

电容C304的另一端接芯片地；比较器U306的同相输入端接基准电压Vref2，输出端接驱动逻辑模块102。

3.如权利要求1所述的LED控制芯片100，其特征在于：

峰值电流控制模块(104)包括一个比较器U401，比较器U401的反相输入端接基准电压Vref，同相输入端接主功率开关管Q101的电流输出端，以及用于外接电流峰值采样电阻；比较器U104的输出端接驱动逻辑模块(102)。

4.如权利要求1所述的LED控制芯片(100)，其特征在于：

主功率开关管Q101采用NMOS管，Q101的漏极为电流输入端，源极为电流输出端，栅极为控制端。

5.如权利要求1所述的LED控制芯片(100)，其特征在于：

高压供电模块(103)还具有一个外接滤波电容端，用于连接LED控制芯片外的滤波电容。