[发明专利]铂薄膜热敏电阻器的制造方法有效
申请号: | 201610092178.2 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN105632670B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 袁敏生;韩玉成;朱雪婷;陈思纤 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | H01C17/12 | 分类号: | H01C17/12;H01C17/065;H01C17/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热敏电阻器 铂薄膜 包封 制造 片式薄膜电阻器 焊点 等离子体刻蚀 膜层热处理 生产成本低 激光数码 生产效率 手工裂片 陶瓷基片 引线焊接 烧结 抛光 包封层 电阻体 体积小 铂金 溅射 膜层 固化 | ||
1.一种铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是包括陶瓷基片抛光、铂金膜层溅射、膜层热处理、等离子体刻蚀、激光数码调阻、电阻体包封、烧结、手工裂片、引线焊接、焊点包封和包封层固化;具体方法如下:
1)对99瓷基片上下表面进行抛光处理,表面粗糙度控制在0.10μm~0.15μm;
2)用浓度为5%的NaOH溶液对抛光的陶瓷基片进行浸煮,用去离子水超声清洗基片,去除基片上残留的NaOH溶液,将基片置于烘箱中进行干燥;
3)将干燥的基片放入离子溅射机腔体内,以铂金作为靶材,在基片表面沉积1.0μm~1.2μm的铂金膜层;
4)用恒温加热炉对铂金膜层进行热处理,热处理温度为400℃~600℃,热处理时间为150min;
5)用等离子体对热处理后的铂金膜层进行刻蚀,获得目标电阻体线宽为4μm~5μm的图形;
6)用0.02W~0.5W、Q开关频率为2~20KHz、调阻速率为20mm/s~150mm/s的半导体激光对电阻体进行数码调阻,将电阻体阻值调到目标阻值和精度;
7)用去离子水清洗激光调阻后的基片,去除残留在基片表面的粉尘,将基片置于烘箱中进行干燥;
8)在电阻体表面印刷高温玻璃浆料,并置于烘箱中进行固化;
9)用手工裂片方式对固化后的陶瓷基片进行一次、二次裂片;
10)用不锈钢钳子截取0.15mm×0.25mm的铂金丝,长度为8mm~10mm;
11)用5000W的电子压焊机将截面尺寸为0.15mm×0.25mm、长度为8mm~10mm的铂金丝一端焊接在电极上;
12)配制高温玻璃浆料,均匀涂覆在铂金丝焊点表面,待玻璃浆料干燥后置于烘箱中进行固化。
2.如权利要求1所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤2中:用浓度为5%的NaOH溶液对抛光的陶瓷基片进行浸煮15min,用去离子水反复3次超声清洗基片,每次清洗5min,去除基片上残留的NaOH溶液,用压缩空气吹干基片表面水滴,将基片置于150℃烘箱中干燥60min。
3.如权利要求1所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤7中:用去离子水清洗激光数码调阻后的基片3min,如此反复两次,去除残留在基片表面的粉尘。
4.如权利要求3所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤7中:去除残留在基片表面的粉尘后,用压缩空气吹干基片表面水滴,将基片置于150℃烘箱中干燥60min;所述步骤8中,在电阻体表面印刷高温玻璃浆料,150℃干燥30min;将玻璃浆料干燥后的陶瓷基片静置在恒温炉中,550℃~600℃保温70min对玻璃层进行固化。
5.如权利要求1所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤10中:用不锈钢钳子截取0.15mm×0.25mm的铂金丝,长度为8mm~10mm,用工业酒精超声清洗5min~8min,用去离子水超声清洗铂金丝上残留的酒精3min~5min,清洗后的铂金丝静置在150℃恒温箱中烘烤30min~35min,烘干水分。
6.如权利要求1所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤11中,所述电极经过如下处理:用无尘布包裹医用棉签两端,用工业酒精浸湿无尘布,轻轻来回擦拭铂金电极,如此反复四次,将擦拭电极后的半成品放在洁净的干燥环境,静置3min~5min,待酒精挥发完毕。
7.如权利要求1所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤11中,所述5000W的压焊机电流调整为23A~25A。
8.如权利要求1所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤12中,配制高温玻璃浆料,均匀涂覆在铂金丝与铂金丝焊点表面,厚度为500μm~600μm,置于常温下干燥2h。
9.如权利要求1所述的铂薄膜热敏电阻器的制造方法,其特征是所述步骤12中,将高温玻璃浆料干燥后的半成品放入恒温炉中,600℃~650℃保温70min进行焊点包封层固化,固化后的玻璃层厚度为300μm~400μm。
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