[发明专利]半导体功率器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610092375.4 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107093621A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 肖秀光;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底之上的功能结构，所述功能结构包括有源区；
导磁环体，所述导磁环体位于所述功能结构之上，且包围所述有源区；
导电环路，所述导电环路环绕于所述导磁环体上。
2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述导磁环体与所述功能结构绝缘，且所述导磁环体与所述导电环路绝缘。
3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述导磁环体的材质包括金属或合金。
4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述导磁环体的材质包括铁、钴和镍中的一种。
5.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述导电环路包括一个或多个串联的导电线圈，所述导电线圈环绕所述导磁环体至少一匝。
6.如权利要求5所述的半导体功率器件，其特征在于，所述导电线圈环绕所述导磁环体2-50匝。
7.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：
第一采样电极和第二采样电极，所述第一采样电极与所述导电环路的一端相连，所述第二采样电极与所述导电环路的另一端相连。
8.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，还包括：
采样电阻，所述采样电阻与所述导电环路并联，所述采样电阻的阻抗大于所述导电环路的阻抗。
9.一种半导体功率器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，并在所述衬底上形成功能结构，所述功能结构包括有源区；
在所述功能结构之上形成导磁环体，所述导磁环体包围所述有源区；
环绕所述导磁环体形成导电环路。
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述环绕所述导磁环体形成导电环路，包括：
在所述功能结构上沉积第一绝缘介质；
在所述第一绝缘介质上沉积第一金属层并形成导电环路的部分结构；
在所述导电环路的部分结构以及所述部分结构未覆盖的所述第一绝缘介质上沉积第二 绝缘介质层；
在所述第二绝缘介质层上形成导磁环体，所述导磁环体包围所述有源区；
在所述导磁环体以及所述第二绝缘介质上沉积第三绝缘介质层，并在所述第三绝缘介质上沉积第二金属层，其中，在所述第三绝缘介质层上形成有通孔，所述第二金属层通过一部分的所述通孔与所述导电环路的部分结构连通以形成完整的所述导电环路。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第二金属层通过另一部分的所述通孔形成电极。
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