[发明专利]一种新型绝缘边电容器制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及电容器技术领域，特别是指一种新型绝缘边电容器制作方法。

背景技术

陶瓷基片在经过清洗、溅射后进入光刻工序，在光刻工序根据工艺作匀胶、 曝光、显影等工艺流程，呈现出所制作电容器大小尺寸的图形，经过电镀加厚 电极膜层，再到光刻用刻蚀液刻蚀绝缘边部分，图形制作完成，再进行切割分 离成单个电容器，但是目前光刻法制备电容器存在较多问题：1)光刻法制备含 绝缘边电容器时，在电极尺寸固定和陶瓷基片介电常数不稳定的情况下，电容 值的合格率低，无法实现电极尺寸和介电常数之间的调节，2)光刻法制备的电 容器绝缘边时，因陶瓷基片表面的翘曲度、陶瓷晶体颗粒度、致密度影响刻蚀 时间无法精准、反应速率的不同，直接会影响到电容器边缘的平整度和绝缘边 有残留金属，造成电容值的差异和外观合格率差；3)光刻法制备的电容器绝缘 边时，陶瓷基片在刻蚀液中浸泡刻蚀，对瓷体有一定的腐蚀性，电极层附着力 会有影响，键合力在5g±1g。

发明内容

本发明提出一种新型绝缘边电容器制作方法，解决了现有技术中光刻法制 备的电容器电容值的差异大、外观合格率差的问题。

本发明的技术方案是这样实现的：一种新型绝缘边电容器制作方法，适用 于一含绝缘层的基片上，该方法包括步骤：

1)在所述基片制作电极前，根据电容公式C＝ε·S·K/d计算出电容器电 极间的尺寸，式中C为电容，ε为未设绝缘层的电容器极板间介质的介电常数， K为静电力常量，S为电容极板间的正对面积，d为电极间的尺寸；

2)用划片机对所述绝缘层处进行切割，切割深度为10μm，所述切割机使 用的刀片厚度为0.15mm；

3)再用0.03mm厚度的刀片沿绝缘边中心切割成单颗电容器，即得。

作为优选的技术方案，步骤1)中ε为不含绝缘边电容器切割制作方式计算 陶瓷基片实际的介电常数。

本发明同背景技术相比所产生的有益效果：

1)实现电容器尺寸的精准性，切割线条清晰、明显、直线度好；绝缘边无 金属残留，可以完全达到绝缘的作用，电容值、外观合格率有明显提高；

2)光刻制作含绝缘边型电容器步骤繁琐，刻蚀后还需要切割，而切割制作 含绝缘边电容器，仅需切割即可达到目标要求；

3)相比光刻方法制备的含绝缘边的电容器，陶瓷基片不经过刻蚀液浸泡， 金属层的附着力没有受到化学溶液浸泡，键合力在10g以上；

4)节约光刻所用材料成本，如光刻胶、显影液、刻蚀液、掩模板等，同时 也就减少了废弃溶液排放对环境的污染；

5)可根据用户要求制作不同的含绝缘边电容器图形，如：长方形、田字形、 阵列型等。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施 例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述 中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付 出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明制作方法的工艺流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，一种新型绝缘边电容器制作方法，适用于一含绝缘层的基片 上，该方法包括步骤：

1)在所述基片制作电极前，根据电容公式C＝ε·S·K/d计算出电容器电 极间的尺寸，式中C为电容，ε为未设绝缘层的电容器极板间介质的介电常数， K为静电力常量，S为电容极板间的正对面积，d为电极间的尺寸；

2)用划片机对所述绝缘层处进行切割，切割深度为10μm，所述切割机使 用的刀片厚度为0.15mm；

3)再用0.03mm厚度的刀片沿绝缘边中心切割成单颗电容器，即得。

作为优选的技术方案，步骤1)中ε为不含绝缘边电容器切割制作方式计算 陶瓷基片实际的介电常数。

具体制作方法

一种新型绝缘边电容器制作方法，适用于一含绝缘层的基片上，该方法包 括步骤：