[发明专利]基于版图邻近效应的统计模型的建模方法

权利要求书

1.一种基于版图邻近效应的统计模型的建模方法，其特征在于，包括：

步骤01：建立MOS器件的基础模型；所述基础模型为基于基准版图的MOS器件测试值建立的MOS统计模型；

步骤02：根据所要采用的LPE效应的种类，针对不同尺寸器件变换所述LPE效应对应的版图因子，生成对应的非标准版图；

步骤03：对上述各非标准版图器件进行Mapping测试，得到阈值电压和漏极电流的各测试值并计算其均值，基于均值建立由LPE效应带来的器件性能指标偏移的LPE模型；

步骤04：根据上述的Mapping测试得到的测试值，求取阈值电压和漏极电流的统计分布；

步骤05：根据所采用的LPE效应的种类，修正基础模型中阈值电压和迁移率参数及上述阈值电压和迁移率参数分别对应的bin参数的标准差参数，建立考虑LPE效应带来的器件性能波动的MOS器件统计模型。

2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述的LPE效应包括：LOD效应、OSE效应和PSE效应。

3.根据权利要求2所述的建模方法，其特征在于，所述步骤05中，针对LOD效应的修正包括：

步骤501：针对LOD效应的大尺寸非标准版图器件阈值电压和漏极电流测试数据，首先确定阈值电压和迁移率参数标准差变化的上下限，在此基础上分析不同版图器件阈值电压和漏极电流统计分布的标准差随LOD效应版图因子sa、sb的变化规律，提取器件有源区左右两侧边界到沟道中心的距离的倒数之和为特征量，并减去标准版图器件的特征量作为相对特征量，将特征系数乘以相对特征量，得到基于版图因子sa、sb的第一公式，以此计算得到阈值电压和迁移率参数的标准差参数修正值，以修正基础模型中阈值电压和迁移率参数的标准差；并且调整特征系数，使模型仿真值与大尺寸非标准版图器件阈值电压和漏极电流测试数据的统计分布相吻合；其中，第一公式为：

其中，sa、sb为器件版图尺寸，saref、sbref为标准版图器件对应尺寸，l为器件沟道长度，σ_vthlodm1和σ_vthlodm2分别为阈值电压标准差参数变化的上下限，σ_u0lodm1和σ_u0lodm2分别为迁移率标准差参数变化的上下限，σkvt_sa1和σku0_sa1分别为阈值电压和迁移率参数标准差的特征系数，σ_vthlodm1，σ_vthlodm2，σkvt_sa1，σ_u0lodm1，σ_u0lodm2，σku0_sa1为拟合参数；

步骤502：针对LOD效应的非大尺寸的非标准版图器件阈值电压和漏极电流测试数据，使用bin参数来构造与所述第一公式的具有相同形式的基于版图因子sa、sb的第二公式，以修正基础模型中阈值电压和迁移率参数的bin参数标准差；并且调整第二公式中的特征系数的bin参数，使模型仿真值与对应尺寸非标准版图器件阈值电压和漏极电流测试数据的统计分布相吻合。

4.根据权利要求3所述的建模方法，其特征在于，针对LOD效应，阈值电压和迁移率参数标准差变化的上下限分别由拟合阈值电压漏极电流标准差增大最多和减小最多的非标准版图器件的测试数据统计分布确定；如无标准差增大器件，上限为0，如无标准差减小器件，下限为0。

5.根据权利要求3或4所述的建模方法，其特征在于，针对LOD效应，进行的阈值电压，迁移率参数标准差的不同尺寸器件拟合顺序为，首先拟合大尺寸器件的非标准版图器件测试数据，之后分别使用选定参数的相关bin参数构造相同形式公式修正阈值电压和迁移率相关参数的bin参数，拟合短沟道器件，窄沟道器件，小尺寸器件对应的非标准版图器件测试数据，并且重复上述过程，使各尺寸器件均达到拟合误差的要求。