[发明专利]一种胶囊量子点和发光二极管、制备方法及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种胶囊量子点和发光二极管、制备方法及显示装置。

背景技术

量子点(quantumdots，QDs)由有限数目的原子组成，三个维度尺寸均在纳米数量级。由于其能够接受激发光产生荧光，且具有激发光谱窄而发射光谱宽、以及通过改变量子点的尺寸，可使其发射光谱不同的特点，因此，目前量子点材料已经被应用于显示技术领域，以提高发光效率及色域。

然而，在实际应用量子点作为发光层的过程中，需要将量子点薄膜进行图案化。传统的工艺是采用曝光显影及印刷的方式来实现。对于精度要求较低的通常可采用丝印等技术来实现；对于精度要求较高的采用曝光显影的技术，然而在曝光显影的工艺过程中采用的光引发剂通常会导致荧光淬灭，制备的量子点膜层的发光效率低以至不能使用。

例如，当红色量子点光与引发剂369接触时，如图1所示，在很短的时间就使荧光强度剩余百分比达到零。

发明内容

本发明的实施例提供一种胶囊量子点和发光二极管、制备方法及显示装置，可避免通过构图工艺形成图案化的量子点层时，光引发剂接触量子点而导致的荧光淬灭的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，提供一种胶囊量子点，包括亚微米级或微米级的介孔材料、吸附于所述介孔材料的孔洞内的量子点、以及将所述量子点封装在所述介孔材料的孔洞内的封装材料。

优选的，所述介孔材料为透明的介孔材料。

优选的，所述封装材料为热固化树脂。

第二方面，提供一种发光二极管，包括依次设置在衬底基板上的第一电极、量子点层和第二电极，所述量子点层包括上述第一方面所述的胶囊量子点。

第三方面，提供一种显示装置，包括上述第二方面所述的发光二极管；其中，所述发光二极管设置在所述显示装置的每个子像素位置处。

优选的，所述显示装置还包括设置在每个子像素位置处的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的漏极与所述第一电极电联接。

第四方面，提供一种胶囊量子点的制备方法，包括：将亚微米级或微米级的介孔材料和量子点混合在热固化树脂中并搅拌均匀；缓慢加热，并按预定速率进行搅拌，通过固化后的树脂将所述量子点封装在所述介孔材料的孔洞内，形成所述胶囊量子点。

优选的，所述介孔材料为透明的介孔材料。

第五方面，提供一种发光二极管的制备方法，包括在衬底基板上依次形成第一电极、量子点层和第二电极，其中，形成所述量子点层，包括：将通过上述第四方面制备的所述胶囊量子点均匀混入光固化树脂中，并涂覆在形成有所述第一电极的基板上；采用掩模板进行曝光、显影后形成所述量子点层。

优选的，所述光固化树脂为正性光刻胶或负性光刻胶。

本发明的实施例提供一种胶囊量子点和发光二极管、制备方法及显示装置，由于通过封装材料将量子点封装在介孔材料的孔洞内，因此当需要通过构图工艺形成图案化的量子点层时，可以避免量子点与光固化树脂中的树脂、溶剂以及光引发剂接触，从而避免了量子点与光引发剂接触而导致的荧光淬灭的问题，因而可保证量子点的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种红色量子点光与引发剂369接触的时间与荧光强度剩余百分比的关系示意图；

图2为本发明实施例提供的一种胶囊量子点的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图一；

图5为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图二；

图6为本发明实施例提供的一种胶囊量子点的制备方法的流程示意图；

图7为本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程示意图；

图8(a)为本发明实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图一；

图8(b)本发明实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图二；

图8(c)本发明实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图三。

附图说明：