[发明专利]纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置

说明书

本发明涉及微纳能源技术领域，公开了一种纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置。其中，该纳米发光阵列包括：衬底；下部电极，形成在所述衬底上；纳米发光控制层，形成在所述下部电极上；有机发光层，形成在所述纳米发光控制层上；以及上部电极，形成在所述有机发光层上。通过使用本发明上述的纳米发光阵列及纳米发光装置，纳米发光控制层能够得到在该层上所施加的应力信息，从而可以快速地对所施加的应力做出反应，进而实现对有机发光层的发光强度的调节。

技术领域

本发明涉及微纳能源技术领域，具体地，涉及一种纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置。

背景技术

基于ZnO纳米线压电效应的压力传感器近年来引起了人们的极大兴趣。利用压电电子效应去控制载流子的产生、传输、分离或者复合，从而改善光电子器件性能。

例如，现有技术中的一种基于阵列化ZnO纳米线压电电子学效应的压力传感器可以把分辨率提升至120微米。另一种基于p型氮化镓层外延图案化生长ZnO纳米线发光二极管阵列的压力传感器传感器实现了2.7微米的分辨率，是世界上首次达到微米级超人类皮肤分辨率的应力感应系统，该研究引起了人们极大的关注。但是，这种基于图案化ZnO纳米线的异质结LED阵列仍然有很大的局限性。首先是无机半导体纳米材料种类较少，尤其是作为空穴传输的p型材料较少，从而使得该传感器的制造受限；其次是无机纳米材料柔韧性较差，在柔性器件方面的应用有所不足。这两点都极大的限制了基于ZnO纳米线压电光电子学效应的压电传感器的发展，尤其是大面积柔性阵列器件的发展与应用。

发明内容

本发明的目的是提供一种纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置，以解决上述现有技术中的问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种纳米发光阵列，其中，该纳米发光阵列包括：衬底；下部电极，形成在所述衬底上；纳米发光控制层，形成在所述下部电极上；有机发光层，形成在所述纳米发光控制层上；以及上部电极，形成在所述有机发光层上。

本发明还提供一种纳米发光装置，其中，该装置包括上述的纳米发光阵列。

本发明还提供一种制造纳米发光阵列的方法，其中，该方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成下部电极；在所述下部电极上形成纳米发光控制层；在所述纳米发光控制层上形成有机发光层；以及在所述有机发光层上形成上部电极。

通过上述技术方案，可以通过纳米材料制备的发光控制层对使用有机材料制备的发光层进行发光控制，这是因为纳米发光控制层能够得到外界对该层所施加的应力信息，从而可以快速地对所施加的应力做出反应，进而实现对有机发光层的发光强度的调节，提高器件的发光效率，使器件性能更加灵活可控(也就是，本发明所述的纳米发光阵列及纳米发光装置的发光强度能够随压力变化而变化)。

本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是根据本发明一种实施方式的纳米发光阵列的结构图；

图2是根据本发明一种实施方式的制造纳米发光阵列的方法的流程图；

图3A是根据本发明一种实施方式的纳米发光阵列的扫描电子显微镜(SEM)照片的示意图；

图3B是根据本发明一种实施方式的纳米发光阵列的发光显微镜照片的示意图；

图3C是根据本发明一种实施方式的纳米发光阵列的光强度分布的示意图；

图4是根据本发明一种实施方式的纳米发光阵列的电流-电压曲线图；

图5是根据本发明一种实施方式的纳米发光阵列在不同电压下的发光光谱图；