[发明专利]刻蚀图案套印高精度对位方法及装置有效
申请号: | 201610095279.5 | 申请日: | 2016-02-22 |
公开(公告)号: | CN105895734B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 丁志强;肖新民;祁宏山 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/68 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 图案 套印 高精度 对位 方法 装置 | ||
1.一种刻蚀图案套印高精度对位方法,包括下述步骤:
S1:提供硅片和浆料载体;
S2:视觉识别系统拍摄硅片的图片;
S3:在图片上选取固定位置的ROI(感兴趣区域)区域,通过垂直投影方法,获得一组ROI区域内的数据,通过离散数据曲线平滑算法对数据进行预处理,计算得出波峰的位置和线宽;
S4:比对ROI区域内掩膜线的线宽与波峰的宽度,计算得出掩膜线图案的角度;
S5:通过运动装置旋转硅片相应的角度和位置,使掩膜线的图案和浆料载体图案重合;
S6:激光作用到浆料载体上,浆料最终作用到掩膜线的图案位置。
2.一种刻蚀图案套印高精度对位装置,其特征在于:包括:
用于拍摄和记录硅片表面图片的视觉识别装置;用于旋转和移动硅片的运动装置;以及,用于接收和处理视觉识别系统输入的图像信息并输出控制指令给运动装置和激光扫描装置的控制系统。
3.根据权利要求2所述的刻蚀图案套印高精度对位装置,其特征在于:所述视觉识别装置包括镜头朝向硅片的工业相机、为相机提供光照的光源、对相机采集到的图像进行收集的图像采集部件,相机、图像采集部件、运动装置和激光扫描装置分别通过通讯传输电缆连接控制系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的