[发明专利]一种修饰氧化铟锡阳极

权利要求书

1.一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，其特征在于，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11～20％，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004～0.017；所述修饰氧化铟锡阳极采用如下步骤制备而成：

提供洁净的氧化铟锡阳极；所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜；

将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.2～2mol/L的含氟有机酸水溶液中，于5～20℃下浸泡0.5～2分钟后，取出，干燥；

将干燥后的所述氧化铟锡阳极置于等离子体设备中，通入含氟气体，使等离子体设备内的气体压力为10Pa～60Pa，调整射频功率为40w～100w，进行等离子体处理5～10分钟，得到修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。

2.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为11～20％，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004～0.017。

3.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述含氟有机酸为二氟乙酸、三氟乙酸或2，2-二氟丙酸。

4.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述含氟气体为四氟化碳或三氟化碳。

5.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70～200nm。

6.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述修饰氧化铟锡阳极的表面功函为5.7eV-5.9eV。

7.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，等离子体处理过程中，等离子体设备内的气体压力为10～60Pa，射频功率为40～100w，等离子体处理的时间为5～10分钟。

8.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述修饰氧化铟锡阳极保存环境为真空环境＜10^-3Pa或者保存在N₂手套箱中。