[发明专利]一种有机电致发光器件有效
申请号: | 201610096055.6 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN105576141B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 杨会贞;庄亚燕 | 申请(专利权)人: | 姜玉兰 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙)44324 | 代理人: | 邓扬 |
地址: | 350208 福建省福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种有机电致发光器件,包括阳极、功能层、发光层和阴极,所述阳极为修饰氧化铟锡阳极,所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层,所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜,所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面,所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层,所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为11~20%,锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.004~0.017;所述修饰氧化铟锡阳极采用如下步骤制备而成:
提供洁净的氧化铟锡阳极;所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜;
将所述氧化铟锡阳极浸入浓度为0.2~2mol/L的含氟有机酸水溶液中,于5~20℃下浸泡0.5~2分钟后,取出,干燥;
将干燥后的所述氧化铟锡阳极置于等离子体设备中,通入含氟气体,使等离子体设备内的气体压力为10Pa~60Pa,调整射频功率为40w~100w,进行等离子体处理5~10分钟,得到修饰氧化铟锡阳极,所述修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层,所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一种。
4.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,当所述功能层为多层时,所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极按顺序依次设置在修饰氧化铟锡阳极的ITO薄膜表面。
5.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴注入层的材质可以为酞菁锌(ZnPc),酞菁铜(CuPc),酞菁氧钒(VOPc),酞菁氧钛(TiOPc),酞菁铂(PtPc)或4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),空穴注入层的厚度为10~40nm。
6.如权利要求3所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的空穴传输材料可以为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)、N,N,N′,N′-(四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、2,7-双(N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9,9-螺二芴(MeO-Sprio-TPD)、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)、1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷(TAPC)或2,2′,7,7′-四(N,N-二苯胺基)-9,9′-螺二芴(S-TAD),空穴传输层的厚度为20~50nm。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材质为发光材料掺杂空穴传输材料或电子传输材料形成的混合材料。
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