[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201610098089.9 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105514239B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;林兓兓;黄文宾 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06 |
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| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述缓冲层为含In氮化物，所述第一缓冲层的In组份为15%~25%，所述第二缓冲层的In组份为14%~35%，调节第一缓冲层和第二缓冲层中In组份浓度，使所述第一缓冲层的晶格常数与所述第二缓冲层的晶格常数相同，缓冲层内无极化效应。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述第一缓冲层的材料为InaGa1-aN，所述第二缓冲层的材料为InbAl1-bN，其中a>0、b>0。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层与所述量子阱层的晶格常数相匹配。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层的晶格常数为3.20~3.30。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，其带隙能级大于所量子阱层的带隙能级。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，在所述缓冲层与P型层之间还设有电子阻挡层，所述缓冲层与所述电子阻挡层构成双阻挡层结构。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，作为电子-空穴有效复合辐射层。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与P型层之间，其中第二缓冲层的厚度大于所述量子阱层之垒层的厚度，以减小电子的迁移率。
9.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层位于量子阱层与N型层之间，第一缓冲层为未掺杂层，第二缓冲层的N型掺杂，增加电子的横向扩展能力。
10.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述缓冲层为第一缓冲层与第二缓冲层交替堆叠的周期性结构。
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