[发明专利]图形化薄膜及薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种图形化薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，（a）在待成膜的初体上涂布疏水层；（b）使用掩膜板对疏水层进行等离子体刻蚀得到图形化疏水层；（c）将预先制备的薄膜前驱体溶液涂布于图形化疏水层表面，得到初始涂覆薄膜结构（d）将初始涂覆薄膜结构中的疏水层去除，然后进行退火处理得到最终的图形化薄膜。

2.根据权利要求1所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于：所述疏水层为含氟聚合物疏水层。

3.根据权利要求2所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于：所述疏水层是通过旋涂、棒涂或者提拉涂布方式得到的疏水性含氟聚合物薄膜。

4.根据权利要求3所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤（b）中等离子体刻蚀是采用氧气或者氩气的等离子体进行刻蚀的。

5.根据权利要求4所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤（c）中薄膜前驱体溶液通过旋涂、棒涂或者提拉方式涂布于图形化疏水层表面。

6.根据权利要求5所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤（d）中通过加热方式将初始涂覆薄膜结构中的疏水层除去。

7.根据权利要求6所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤（d）中去除初始涂覆薄膜结构中的疏水层所采用的加热温度为95～110℃。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤（c）中预先制备的薄膜前驱体溶液具体为薄膜晶体管中的栅极、绝缘层、有源层或者源漏电极前驱体溶液，最终相应地制得作为薄膜晶体管栅极、绝缘层、有源层或者源漏电极的图形化薄膜。

9.一种薄膜晶体管，设置有栅极、有源层、绝缘层以及源极和漏极，其特征在于：绝缘层、有源层、栅极、源极和漏极中的至少一种是通过权利要求1至8任意一项的图形化薄膜的制备方法制备得到的图形化薄膜。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管为底栅接触型、底栅顶接触型、顶栅底接触型或者顶栅顶接触型。