[发明专利]MOS管参数退化的检测电路

权利要求书

1.一种MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，包括应力测试电路、标准时钟输入电路、采样电路、采样计数器、时钟计数器和处理器；

所述应力测试电路、所述标准时钟输入电路分别与所述采样电路连接，所述采样电路和所述采样计数器连接，所述采样计数器与所述处理器连接；所述标准时钟输入电路还与所述时钟计数器连接，所述时钟计数器与所述处理器连接；

所述应力测试电路包括MOS管，所述应力测试电路输出表征所述MOS管参数的测试信号，所述采样电路对所述测试信号进行采样，获取采样数据，所述采样计数器对所述采样数据进行计数，获取采样数据计数值；所述标准时钟输入电路为所述采样电路和所述时钟计数器提供时钟信号，所述时钟计数器对提供给所述时钟计数器的时钟信号进行计数，获取时钟信号计数值，所述处理器根据所述采样数据计数值和所述时钟信号计数值获取MOS管参数退化的检测值。

2.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，还包括控制器；所述应力测试电路包括振荡器，所述振荡器中包括所述MOS管；所述振荡器的使能端与所述控制器的第一输出端连接，所述振荡器的输出端与所述采样电路的输入端连接；

所述振荡器的使能端接收到所述控制器通过所述第一输出端输出的第一使能信号时，所述振荡器输出表征所述MOS管参数的振荡信号。

3.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，所述标准时钟输入电路输出的是所述检测电路外部的标准时钟信号或者所述检测电路所在芯片的内部时钟信号。

4.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，所述采样电路包括第一触发器、第二触发器、反相器和与门电路；

所述第一触发器的数据信号输入端接收所述测试信号，所述第一触发器的输出端与所述第二触发器的数据信号输入端连接，所述第二触发器的输出端与所述反相器的输入端连接，所述第一触发器的输出端和所述反相器的输出端分别与所述与门电路的两个输入端连接，所述与门电路的输出端与所述采样计数器的输入端连接；所述标准时钟输入电路的输出端分别与所述第一触发器的时钟信号输入端和所述第二触发器的时钟信号输入端连接。

5.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，还包括控制器；所述采样计数器包括累加器，所述累加器的输入端与所述采样电路的输出端连接，所述累加器的输出端与所述处理器的第一输入端连接，所述累加器的使能端与所述控制器的第二输出端连接，所述累加器的设置端与所述控制器的第三输出端连接；

所述控制器通过所述第三输出端设置所述累加器的初始值，所述累加器在接收到所述控制器通过所述第二输出端输出的第二使能信号时，开始累加所述采样数据的数量，在接收到所述控制器通过所述第二输出端输出的第一关闭信号时停止累加计数。

6.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，还包括控制器；所述时钟计数器包括伪随机数发生器，所述伪随机数发生器的输入端与所述标准时钟输入电路的输出端连接，所述伪随机数发生器的使能端与所述控制器的第四输出端连接，所述伪随机数发生器的设置端与所述控制器的第五输出端连接，所述伪随机数发生器的中断控制输出端与所述控制器的接收端连接，所述伪随机数发生器的结果输出端与所述处理器的第二输入端连接；

所述控制器通过所述第五输出端设置所述伪随机数发生器的初始值，所述伪随机数发生器在接收到所述控制器通过第四输出端输出的第三使能信号时，依据预设的反馈函数生成伪随机序列，当所述伪随机数发生器达到预设的最终值时，产生中断信号，通过所述中断控制输出端发送至所述控制器；所述控制器在接收到所述中断信号后，通过第二输出端输出第一关闭信号至所述采样计数器，通过所述第四输出端输出第二关闭信号至所述伪随机数发生器。

7.根据权利要求1所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，所述采样数据计数值为所述采样数据的时钟周期数，所述时钟信号计数值为进行计数的时钟信号的时钟周期数。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的MOS管参数退化的检测电路，其特征在于，所述处理器还用于比较所述MOS管参数退化的检测值与预设的标准值，当所述MOS管参数退化的检测值与所述标准值的差值超过预设范围时，发出电路预警信号。