[发明专利]可编程控制多晶熔丝电路及包含该电路的集成电路

权利要求书

1.一种可编程控制多晶熔丝电路，其特征在于包括：

熔丝单元，包含多晶熔丝，所述熔丝单元是能对所述多晶熔丝进行烧录的电路单元；

伪熔丝单元，是不实际烧录所述多晶熔丝，但能读取所述多晶熔丝状态的电路单元；

第一多路选择器，一路输入接外部编程指令端口，另一路输入接控制选择信号，一路输出接熔丝单元，另一路输出接伪熔丝单元；所述第一多路选择器根据所述控制选择信号来选择所述第一多路选择器的哪一路输出导通；

第二多路选择器，一路输入为两股，分别接熔丝单元和伪熔丝单元，另一路输入控制选择信号，输出则接输出端口，所述第二多路选择器根据所述控制选择信号来选择所述第二多路选择器的哪一路输入导通；

所述伪熔丝单元包括寄存器，所述寄存器的输入端连接第一多路选择器，输出端连接第二多路选择器，所述寄存器读取熔丝的烧录状态。

2.根据权利要求1所述的可编程控制多晶熔丝电路，其特征在于，

所述多晶熔丝一端与电源连接，另一端连接熔丝控制电路，所述另一端还连接至反相器输入端，所述反相器输出端连接第二多路选择器和第一多路选择器；

所述熔丝控制电路由NMOS电平稳定器和NMOS晶体管缓冲器并联。

3.根据权利要求2所述的可编程控制多晶熔丝电路，其特征在于，所述NMOS电平稳定器的栅极与偏置电压连接。

4.根据权利要求2所述的可编程控制多晶熔丝电路，其特征在于，所述反相器为一非门，所述非门的输入端与多晶熔丝相连，所述非门的输出端连接至第一多路选择器和第二多路选择器。

5.根据权利要求2所述的可编程控制多晶熔丝电路，其特征在于，所述熔丝单元进一步包括PMOS管，其源极接电源，漏极接NMOS电平稳定器的漏极和多晶熔丝。

6.根据权利要求2所述的可编程控制多晶熔丝电路，其特征在于，所述外部编程指令端口和控制选择信号通过一或非门连接至NMOS晶体管缓冲器的栅极。

7.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括如权利要求1-6任意一项所述的可编程控制多晶熔丝电路。