[发明专利]耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造工艺技术领域，尤其涉及一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法。

背景技术

在传统的氮化镓肖特基二极管的制作工艺中，通常通过过刻蚀工艺对电极金属进行刻蚀，以确保电极金属刻蚀完全。但是，由于电极金属的过刻蚀会使得二极管的表面变的粗糙，使得二极管器件的表面极易吸附杂质和电荷，从而导致了二极管器件表面漏电、抗击穿能力差、器件耐压性能较低等问题。

发明内容

本发明提供一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，用以优化传统的氮化镓肖特基二极管器件的制作工艺，缓解器件表面漏电，增强器件耐压性能。

本发明提供的耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，包括：

在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；

在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；

对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的所述第一PETEOS氧化层和所述第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；

在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于所述第一阳极通孔和所述第一阴极通孔内的导通金属。

本发明提供一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，该方法首先通过在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极；并在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；再通过对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀，生成 第一阳极通孔和第一阴极通孔；最后通过在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于第一阳极通孔和第一阴极通孔内的金属，形成耐压氮化镓肖特基二极管器件。降低了所述器件表面的粗糙程度，减少了器件表面吸附的杂质和静电，缓解了器件表面漏电，增强了器件的耐压性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例提供的耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法的流程示意图；

图2为图1所示方法中步骤101的执行方法流程图；

图3为图2所示方法中淀积第二氮化硅层和第二PETEOS氧化层后的结构示意图；

图4为图2所示方法中形成第二阴极通孔后的结构示意图；

图5为图2所示方法中形成阴极后的结构示意图；

图6为图2所示方法中形成第二阳极通孔后的结构示意图；

图7为图2所示方法中形成阳极后的结构示意图；

图8为图1所示方法中淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层后的结构示意图；

图9为图1所示方法中生成第一阳极通孔和第一阴极通孔后的结构示意图；

图10为经过图1所示方法后形成的耐压氮化镓肖特基二极管的结构示意图。

附图标记：

1-衬底； 2-GaN缓冲层； 3-AlGaN势垒层；

4-第二氮化硅层； 5-第二PETEOS氧化层；6-第二阴极通孔；

7-阴极； 8-第二阳极通孔；9-阳极；

10-第一PETEOS氧化层；11-第一氮化硅层； 12-第一阳极通孔；

13-第一阴极通孔；14-导通金属。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤的过程或方法不必限于清楚地列出的那些步骤而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程或方法固有的其它步骤。

图1为本发明一实施例提供的耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法的流程示意图，如图1所示，本实施例提供的耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法包括以下步骤：