[发明专利]氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓肖特基二极管的阳极制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底的表面上依次生长氮化镓GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层、氮化硅Si3N4介质层和氧化层；

沿着所述氧化层的第一区域向下刻蚀直到露出与所述第一区域对应的AlGaN介质层的上表面，被刻蚀掉的与所述第一区域对应的氧化层和Si3N4介质层形成阴极接触孔；

在露出的AlGaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻、刻蚀形成阴极；

沿着所述氧化层的第二区域向下刻蚀直到露出与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面；

沿着与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面向下湿法腐蚀直到露出所述GaN介质层的上表面，被刻蚀掉的与所述第二区域对应的氧化层、Si3N4介质层和AlGaN介质层形成阳极接触孔；

在露出的所述GaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行光刻、刻蚀形成阳极。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述沿着与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面向下湿法腐蚀直到露出所述GaN介质层的上表面，包括：

采用过氧化氢和氢氧化钾的混合溶液沿着与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面向下刻蚀AlGaN层以露出所述GaN介质层的上表面。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底的表面上依次生长氮化镓GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层、氮化硅Si3N4介质层和氧化层，包括：

在硅衬底的表面上依次生长氮化镓GaN介质层和氮化铝镓AlGaN介质层；

在所述氮化铝镓AlGaN介质层的表面依次沉积氮化硅Si3N4介质层和氧化层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沿着所述氧化层的第一区域向下刻蚀直到露出与所述第一区域对应的AlGaN介质层的上表面，包 括：

刻蚀所述第一区域对应的氧化层形成第一氧化层开孔；

沿着所述第一氧化层开孔刻蚀Si3N4介质层以露出与所述第一区域对应的AlGaN介质层的上表面。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在露出的AlGaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第一金属层，包括：

通过电子束蒸发在露出的AlGaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第一金属层，所述第一金属层为阴极金属。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述沿着所述氧化层的第二区域向下刻蚀直到露出与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面，包括：

刻蚀所述第二区域对应的氧化层形成第二氧化层开孔；

沿着所述第二氧化层开孔刻蚀Si3N4介质层以露出与所述第二区域对应的AlGaN介质层的上表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在露出的所述GaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第二金属层，包括：

通过电子束蒸发在露出的所述GaN介质层的上表面和剩余的氧化层上表面沉积第二金属层，所述第二金属层为阳极金属。