[发明专利]射频三极管的制备方法和射频三极管

权利要求书

1.一种射频三极管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层；

以所述图形化的氮化硅层为掩蔽，通过热氧化工艺处理所述外延层以形成场氧化层；

去除所述氮化硅层，以暴露出所述外延层的指定区域为止；

在所述指定区域上形成图形化的氧化硅掩膜；

在刻蚀所述场氧化层的衬底上依次形成第一多晶硅层，并对第一多晶硅层进行第一次P型离子注入，以形成第一离子掺杂区；

在完成离子注入的第一多晶硅层上形成氮化硅介质层；

刻蚀所述氧化硅掩膜层上方的第一多晶硅层和氮化硅介质层，以形成注入窗口；

在所述注入窗口下方的外延层中，通过第二次P型离子注入工艺依次形成第二离子掺杂区；

在所述注入窗口中形成侧墙结构；

在所述侧墙结构和所述第二离子掺杂区上方形成第二多晶硅层；

对所述第二多晶硅层进行离子注入以形成第三离子掺杂区；

在形成所述第三离子掺杂区的衬底上形成金属电极，以完成所述射频三极管的制备。

2.根据权利要求1所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，在衬底上依次形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层，具体包括以下步骤：

以温度范围为900℃至1200℃的热氧化工艺在所述衬底上形成所述氧化层。

3.根据权利要求2所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，在衬底上依次形成外延层、氧化层和图形化的氮化硅层，具体还包括以下步骤：

以温度范围为600℃至900℃的化学气相淀积工艺在所述氧化层上形 成所述氮化硅层；

通过光刻工艺和刻蚀工艺对所述氮化硅层进行图形化处理，以形成所述图形化的氮化硅层。

4.根据权利要求3所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，以所述图形化的氮化硅层为掩蔽，通过热氧化工艺处理所述外延层以形成场氧化层，具体包括以下步骤：

以所述图形化的氮化硅层为掩蔽，通过温度范围为900℃至1200℃的热氧化工艺处理所述外延层，以形成场氧化层。

5.根据权利要求4所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，在刻蚀所述场氧化层的衬底上依次形成第一多晶硅层，并对第一多晶硅层进行第一次P型离子注入，以形成第一离子掺杂区，具体包括以下步骤：

所述第一次P型离子注入的剂量范围为1.0E14/cm²至1.0E16/cm²，注入能量范围60keV至120keV，在所述注入窗口下方的外延层中形成所述第一离子掺杂区。

6.根据权利要求5所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，在所述注入窗口下方的外延层中，通过第二次P型离子注入工艺依次形成第二离子掺杂区，具体包括以下步骤：

所述第二次P型离子注入的剂量范围为1.0E12/cm²至1.0E14/cm²，注入能量范围60keV至120keV，在所述注入窗口下方的外延层中形成所述第二离子掺杂区。

7.根据权利要求6所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，通过所述离子注入掩蔽层形成第三离子掺杂区，具体包括以下步骤：

N型离子注入的剂量范围为1.0E14/cm²至1.0E16/cm²，注入能量范围60keV至120keV，通过所述离子注入掩蔽层形成所述第三离子掺杂区。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第三离子掺杂区后，以温度范围为800℃至1200℃的退火工艺对所述第一离子掺杂区、所述第二离子掺杂区和所述第三离子掺杂区进行退火处理。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的射频三极管的制备方法，其特征在于，在形成所述第三离子掺杂区的衬底上形成金属电极，以完成所述射频三极管的制备，具体包括以下步骤：

在形成所述第三离子掺杂层的衬底上形成介质层；

分别在所述第一多晶硅层和第二多晶硅层的上方刻蚀形成接触孔；

通过金属溅射工艺形成连接所述接触孔的金属电极。

10.一种射频三极管，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的射频三极管的制备方法制备而成。