[发明专利]降压型直流变换装置在审
申请号: | 201610100474.2 | 申请日: | 2016-02-24 |
公开(公告)号: | CN105553346A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 魏振;赵武玲;张苒 | 申请(专利权)人: | 核工业理化工程研究院 |
主分类号: | H02P6/08 | 分类号: | H02P6/08;H02M3/139 |
代理公司: | 天津市宗欣专利商标代理有限公司 12103 | 代理人: | 胡恩河 |
地址: | 300180 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降压 直流 变换 装置 | ||
1.一种降压型直流变换装置,包括直流电源(1),其特征在于:直流电源(1)的正端与 Buck变换器(2)的1脚连接,负端与Buck变换器(2)的2脚连接,Buck变换器(2)的3脚与三相 逆变桥(3)的1脚连接,Buck变换器(2)的4脚与三相逆变桥(3)的2脚连接,三相逆变桥(3)的 4脚、5脚、6脚按顺序与无刷直流电机(4)的A、B、C三相绕组对应连接,DSP控制板(5)与三相 逆变桥(3)、无刷直流电机(4)相连,PWM信号驱动芯片电路(6)与DSP控制板(5)、Buck变换器 (2)相连。
2.根据权利要求1所述的降压型直流变换装置,其特征在于:所述的Buck变换器(2)由+ 50V直流电源、可控硅T1、二极管D1、滤波电感组(7)以及滤波电容组(8)组成,可控硅T1的 PWM驱动信号由外部输入,电阻R1、电容C1、二极管D1组成RCD吸收电路,用于吸收可控硅T1 两端的高频信号,以降低可控硅T1的开关损耗。
3.根据权利要求1所述的降压型直流变换装置,其特征在于:所述的PWM信号驱动芯片 电路(6)中包括PWM信号驱动芯片(9)、光耦(10),PWM信号驱动芯片(9)的2脚通过并联的电 阻R2、电容C2与PWM信号端口连接,PWM信号驱动芯片(9)的3脚、5脚与GND连接,PWM信号驱动 芯片(9)的4脚与+15V连接,PWM信号驱动芯片(9)的4脚、5脚间还连接有电容C3,PWM信号驱 动芯片(9)的12脚依次与稳压二极管D3、二极管D4、二极管D5、+50V连接,PWM信号驱动芯片 (9)的15脚依次与电阻R3、GPWM端口连接,PWM信号驱动芯片(9)的16脚依次与电阻R4、GPWM 端口连接,PWM信号驱动芯片(9)的17脚与EPWM端口连接,PWM信号驱动芯片(9)的13脚与 光耦(10)的2脚连接,PWM信号驱动芯片(9)的18脚通过电阻R7与光耦(10)的1脚连接,光耦 (10)的1脚、2脚之间还连接有电阻R8。
4.根据权利要求1所述的降压型直流变换装置,其特征在于:所述的三相逆变桥(3)中 包括三个桥臂的六个可控硅Q1-Q6,三相逆变桥3的1脚、2脚并行连接于串联后的可控硅Q1、 可控硅Q2,串联后的可控硅Q3、可控硅Q4,串联后的可控硅Q5、可控硅Q6,三相逆变桥3的3脚 与可控硅Q1、可控硅Q2的连线中点处相接,三相逆变桥3的4脚与可控硅Q3、可控硅Q4的连线 中点处相接,三相逆变桥3的5脚与可控硅Q5、可控硅Q6的连线中点处相接。
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