[发明专利]一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法

权利要求书

1.一种提高晶片腐蚀均匀性的装置，包括用于承载晶片的晶片载具，所述晶片载具可带动晶片旋转至预设旋转速度，其特征在于，还包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,所述第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上；其中，所述第一喷淋装置的长度与所述晶片的半径或直径一致，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，其具有用于盛装化学药液的中空腔体，所述中空腔体的上表面连通用于供给化学药液的第一进液管路，所述第一进液管路上设有第一控制阀以控制化学药液的流通，所述中空腔体的下表面设有若干均匀分布的喷射孔以及第二控制阀，所述第二控制阀同时控制各喷射孔的启闭，以使所述喷射孔喷出的化学药液瞬时均匀覆盖所述晶片表面，提高晶片的腐蚀均匀性；

所述提高晶片腐蚀均匀性的装置还包括第二喷淋臂以及第二喷淋装置，所述第二喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第二喷淋臂上，所述第二喷淋装置用于在晶片的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液。

2.根据权利要求1所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第一喷淋装置的形状为长方体、扇形体或圆柱体，当所述第一喷淋装置的形状为长方体时，所述长方体的长度与所述晶片的半径或直径一致；当所述第一喷淋装置的形状为扇形体时，所述扇形体的边长与所述晶片的半径一致；当所述第一喷淋装置的形状为圆柱体时，所述圆柱体的直径与所述晶片的直径一致。

3.根据权利要求2所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第一喷淋装置的中空腔体内设有用于感测化学溶液液位高度的液位传感器。

4.根据权利要求3所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述液位传感器具有显示灯，当化学溶液达到预设液位高度时，所述显示灯亮起。

5.根据权利要求1所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第二喷淋装置连通用于供给化学药液的第二进液管路，所述第二进液管路上具有控制化学药液流通的第三控制阀。

6.根据权利要求1所述的提高晶片腐蚀均匀性的装置，其特征在于，所述第二喷淋臂上设有速度传感器以及速度调整器，所述速度传感器用于感测所述第二喷淋装置在晶片上方的摆动速率，所述速度调整器用于调整所述第二喷淋装置在晶片上方的摆动速率。

7.一种提高晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供待清洗的晶片并承载于晶片载具上，晶片载具以预设旋转速度带动晶片旋转；

步骤S02：将第一喷淋装置从home位置旋转并升降至晶片上方的预设位置，以使所述第一喷淋装置喷出的化学药液可同时覆盖所述晶片的半径或直径范围，同时，关闭喷射孔的第二控制阀，打开第一进液管路的第一控制阀，直至中空腔体内的化学药液达到预设液位高度；

步骤S03：打开喷射孔的第二控制阀，以使所述喷射孔喷出的化学药液瞬时均匀覆盖在旋转的晶片表面，提高晶片的腐蚀均匀性；

步骤S04：将第一喷淋装置从预设位置旋转并升降回home位置，再将第二喷淋装置从home位置旋转并升降至晶片上方的预设位置，打开第三控制阀，从晶片的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液，直至完成晶片表面预设量的腐蚀。

8.根据权利要求7所述的提高晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S02中，当第一喷淋装置的长度与所述晶片的半径一致时，所述第一喷淋装置的一端与所述晶片的边缘对齐，另一端与所述晶片的圆心对齐；当所述第一喷淋装置的长度与所述晶片的直径一致时，所述第一喷淋装置的一端与所述晶片的一端边缘对齐，另一端与所述晶片的另一端边缘对齐。

9.根据权利要求7所述的提高晶片腐蚀均匀性的方法，其特征在于，所述步骤S04中，第二喷淋装置晶片上方喷射预设时间的化学药液后，调整所述第二喷淋装置的摆动速率，继续从晶片的一端边缘至另一端边缘之间做往复运动并喷射化学药液。