[发明专利]一种基于Nand Flash内存的移动设备容量检测方法

说明书

本发明公开了一种基于Nand Flash内存的移动设备容量检测方法，该方法包括：在移动设备量产时检测Nand Flash内存的物理参数，并写入到Nand Flash内存中的指定位置；在移动设备上电后获取成功连接的Nand Flash内存的数量；从指定位置读取出Nand Flash内存的物理参数，利用Nand Flash内存的物理参数和Nand Flash内存的数量计算得到移动设备的有效容量。该方法实现量产时准确检测移动设备有效的容量，达到正常生产的目的。

技术领域

本发明涉及移动存储技术领域，特别是涉及一种基于Nand Flash内存的移动设备容量检测方法。

背景技术

目前，随着各种移动电子设备的普及，U盘、SD/T FLASH卡、eMMC、UFS乃至SSD等各种基于Nand Flash做为存储媒介的移动存储设备越来越多，应用越来越广泛，进而导致需求的容量也在大幅增加。在既有的Nand Flash型号的基础上提高容量的方法便是将多片同型号的Nand Flash进行类似串联、并联的连接，从而达到成倍提高容量的目的。

Nand Flash是一种Flash内存，连接的多片的Nand Flash由于是物理的焊接连接，有时难免会出现虚焊又或者是氧化脱焊等现象，导致表面上看不出问题实际上却不存在的现象；并且有的Nand Flash本身可能也有质量问题，会导致即便焊接连上了也无法正常使用。如此会导致Nand Flash无法达到正常生产，所以如何对移动设备容量进行检测，这样在容量检测的基础上可以查找出非正确容量的移动设备，从而可以达到正常生产的目的，是亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于Nand Flash内存的移动设备容量检测方法，以实现量产时准确检测移动设备有效的容量，达到正常生产的目的。

为解决上述技术问题，本发明提供一种基于Nand Flash内存的移动设备容量检测方法，该方法包括：

在移动设备量产时检测Nand Flash内存的物理参数，并写入到Nand Flash内存中的指定位置；

在移动设备上电后获取成功连接的Nand Flash内存的数量；

从指定位置读取出Nand Flash内存的物理参数，利用Nand Flash内存的物理参数和Nand Flash内存的数量计算得到移动设备的有效容量。

优选的，所述在移动设备量产时检测Nand Flash内存的物理参数，并写入到NandFlash内存中的指定位置，包括：

在移动设备量产时检测Nand Flash内存的ID，利用所述ID查询与所述ID对应的物理参数，并写入到Nand Flash内存中的指定位置；所述物理参数为Nand Flash内存的物理参数。

优选的，所述利用所述ID查询与所述ID对应的物理参数，包括：

在量产工具端通过查表，利用Nand Flash内存的ID查询获取Nand Flash内存的物理参数。

优选的，所述写入到Nand Flash内存中的指定位置，包括：

对Nand Flash内存进行初始化，初始化完毕后，将Nand Flash内存的物理参数写入到内存块Block 0中。

优选的，所述在移动设备上电后获取成功连接的Nand Flash内存的数量，包括：

移动设备上电后，挨个选中每个片选；

每选中一个片选，往Flash总线上发送复位命令，立即检测Flash总线上的Busy信号是否为低信号；

再对每个片选发送标准的读命令，立即检测Flash总线上的Busy信号是否为低信号；