[发明专利]掺杂钇和镧的基于氧化锆的材料在审
申请号: | 201610102188.X | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN105669235A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·P·马瑟斯;凯瑟琳·M·洪帕尔;布兰特·U·科尔布;马克·J·亨德里克森;迈尔斯·L·布罗斯特伦;霍尔格·豪普特曼 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | C04B38/00 | 分类号: | C04B38/00;C04B35/624;C04B35/48 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 吴润芝;郭国清 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 基于 氧化锆 材料 | ||
本发明专利申请是国际申请号为PCT/US2010/061489,国际申请 日为2010年12月21日,进入中国国家阶段的申请号为 201080060035.4,发明名称为“掺杂钇和镧的基于氧化锆的材料”的中 国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明描述了掺杂钇和镧二者的基于氧化锆的材料。
背景技术
由各种金属氧化物制备的陶瓷材料已经应用于各种应用中。这些 陶瓷材料可通过首先形成包含金属氧化物粒子的生坯来制备。随后将 生坯烧结以将所述粒子结成致密体并实现所需的最终性质。
许多陶瓷材料是基于铝或基于硅的。也已制备一些基于氧化锆的 陶瓷。与其它陶瓷材料相比,基于氧化锆的陶瓷可具有改进的机械强 度,这与当裂纹扩张到陶瓷材料中时可被触发的相变机理相关。更具 体地说,四方晶相氧化锆可在这种条件下转化为单斜晶相氧化锆。单 斜晶相的形成趋于抑制裂纹在整个陶瓷材料中的扩张。
发明内容
本文描述了包含氧化锆、钇和镧的基于氧化锆的材料。这些材料 通常呈粒子、生坯、部分烧结体或烧结体的形式。平均晶粒度小于或 等于200纳米的烧结体可用于多种应用中,诸如那些期望具有韧性和 光学半透明的应用中。本发明也描述了制造烧结体的方法。
在第一方面,提供了一种烧结体。烧结体包含基于氧化锆的陶瓷 材料,按所述基于氧化锆的陶瓷材料中的无机氧化物的总摩尔量计, 所述陶瓷材料包含92.5至98.0摩尔%的锆氧化物,1.5至2.5摩尔%的 钇氧化物以及0.5至5.0摩尔%的镧氧化物。基于氧化锆的陶瓷材料的 平均晶粒度小于或等于200纳米。
在第二方面,提供了一种制造包括基于氧化锆的陶瓷材料的烧结 体的方法。所述方法包括提供基于氧化锆的溶胶,其包含基于氧化锆 的粒子,所述基于氧化锆的粒子为晶体且平均粒度不大于100纳米。 按基于氧化锆粒子中的无机氧化物的总摩尔量计,基于氧化锆的粒子 包含至少92.5摩尔%的锆氧化物、至少1.5摩尔%的钇氧化物和至少0.5 摩尔%的镧氧化物。所述方法还包括:由基于氧化锆的溶胶形成基于氧 化锆的生坯,使得所述生坯包含按生坯的总体积计至少25体积%的无 机氧化物。所述方法还包括加热基于氧化锆的生坯,以烧结所述基于 氧化锆的粒子,并且形成基于氧化锆的陶瓷材料。基于氧化锆的陶瓷 材料的平均晶粒度不大于200纳米。
在第三方面,提供了一种部分烧结体。部分烧结体包括通过部分 烧结基于氧化锆的粒子而形成的产品。所述基于氧化锆的粒子为晶体 且平均粒度不大于100纳米。按基于氧化锆粒子中的无机氧化物的总 摩尔量计,基于氧化锆的粒子包含至少92.5摩尔%的锆氧化物、至少 1.5摩尔%的钇氧化物和至少0.5摩尔%的镧氧化物。按部分烧结体的总 体积计,所述部分烧结体包含25至75体积%的无机氧化物和25至75 体积%的空隙。
上述发明内容并非旨在描述本发明的每一实施例或每一实施方 式。以下描述更具体地例示了示例性实施例和实施方式。在整个说明 的若干部分中,通过实例列表提供指导,这些实例可以各种组合使用。 在每种情况下,除非另外说明,否则列举的列表仅用作代表性的组并 且不应被解释为排它性的列表。
附图说明
图1是烧结的基于氧化锆的材料的离子铣削横截面的场发射扫描 显微图。通过将可以商品名LAVA自3MESPE(美国明尼苏达州圣保 罗市)商购获得的部分烧结的氧化锆块进一步烧结来制备所述材料。 在显微图中所示的孔(即,空隙)是圆形的。
图2a示出了在入射光下以50倍放大率观察到的实例13的烧结体。 图2b示出了在入射光下以50倍放大率观察到的比较例5的烧结体。
图3是实例13的烧结体的断裂表面的场发射扫描显微图。
图4是实例13的烧结体的离子铣削横截面的场发射扫描显微图。
图5a示出了实例13的烧结体,图5b示出了实例14a的烧结体, 并且图5c示出了在入射光下以50倍放大率观察到的实例14b的烧结 体。
图6a示出了在入射光下以50倍放大率观察到的实例15a的烧结 体。图6b是实例15a的烧结体的断裂表面的场发射扫描显微图。
图7a示出了在入射光下以50倍放大率观察到的实例15b的烧结 体。图7b是实例15b的烧结体的断裂表面的场发射扫描显微图。
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