[发明专利]一种纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法

权利要求书

1.一种纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，其特征在于：包括下述步骤：

a）均胶：首先，取一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底基层上均匀涂上一层光刻胶,光刻胶的 厚度在0.9um-1.1um之间；

b）曝光：然后，将蓝宝石衬底移至软膜的下方，所述软膜包括一软膜主体，该软膜主体 呈长方体状，在软膜主体的长轴方向的一侧设置有梳齿组；所述梳齿组由若干并列等距分 布的梳齿共同构成，在相邻的两个梳齿所形成的凹槽的内壁上还设置有高反射金属层，将 软膜与蓝宝石衬底微接触,即软膜与光刻胶之间的距离控制在200nm-500nm之间，并进行曝 光处理，采用紫外线进行曝光,曝光的时间为5-10s,曝光能量为100mJ/cm²；

c）显影：曝光后的蓝宝石衬底从软膜下方移开,并用显影液显影,利用显影液与曝光部 分的光刻胶反应，去掉被曝光的光刻胶，留下未曝光部分，实现图形转移；

d）刻蚀：对光刻胶未曝光部分进行ICP刻蚀处理，从而制备出微纳PSS。

2.根据权利要求1所述的纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，其特征在于：所述步骤a 中，光刻胶采用正胶或负胶中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，其特征在于：所述步骤b 中，软膜上的高反射金属层覆盖住相邻两个梳齿所形成的凹槽。

4.根据权利要求3所述的纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，其特征在于：所述步骤b 中，软膜的制备工艺为：首先，用Si或SiC基板制备硬膜，然后根据制备的硬膜利用树脂注塑 成型制备出软膜半成品，在软膜半成品上镀一层厚度在150nm以上的高反射率金属膜，然后 采用干法ICP刻蚀去除需曝光处的金属膜，从而形成所需的软膜。

5.根据权利要求4所述的纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，其特征在于：所述软膜制 备时，采用电子束蒸镀或磁控溅射法镀金属膜，镀膜速率为5A/S，干法ICP刻蚀的刻蚀速率 10A/S。