[发明专利]氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该氧化物 薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括如下步骤：

在衬底(20)上形成图形化的栅极(21)；

在该衬底(20)上依次连续形成栅极绝缘层(22)、氧化物半导体材料层(23) 和蚀刻阻挡材料层(24)，其中该栅极绝缘层(22)覆盖在该栅极(21)上，该氧化 物半导体材料层(23)覆盖在该栅极绝缘层(22)上，该蚀刻阻挡材料层(24)覆盖 在该氧化物半导体材料层(23)上；

利用干蚀刻工艺对该蚀刻阻挡材料层(24)进行蚀刻图形化以在该氧化物 半导体材料层(23)上对应该栅极(21)的上方形成蚀刻阻挡层(24a)，此时该氧化 物半导体材料层(23)未被蚀刻；

在该氧化物半导体材料层(23)上形成一层源漏金属材料层(25)，其中该源 漏金属材料层(25)覆盖该蚀刻阻挡层(24a)；

在该源漏金属材料层(25)上涂覆一层光阻层(30)，对该光阻层(30)进行曝 光和显影，利用显影留下的光阻层图案(30a)作为遮罩对该源漏金属材料层(25) 进行第一次湿蚀刻以形成源极(251)和漏极(252)；

再以该光阻层图案(30a)作为遮罩对该氧化物半导体材料层(23)进行第二 次湿蚀刻以在对应该栅极(21)的上方形成氧化物半导体(23a)；

去除该光阻层图案(30a)。

2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征 在于，在去除该光阻层图案(30a)之后，该氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作 方法还包括在该栅极绝缘层(22)上形成钝化层(41)，该钝化层(41)覆盖该源极 (251)、该漏极(252)和从该源极(251)和该漏极(252)之间露出的该蚀刻阻挡层 (24a)，在该钝化层(41)上于对应该源极(251)或该漏极(252)的位置处形成通孔 (410)，然后在该钝化层(41)上形成像素电极(42)，其中该像素电极(42)通过该 通孔(410)与该源极(251)或该漏极(252)电连接。

3.如权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征 在于，该像素电极(42)的制作步骤具体包括：先在该钝化层(41)上沉积一层透 明导电材料层，然后对该透明导电材料层进行蚀刻图形化以在各像素区域内 形成该像素电极(42)。

4.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征 在于，该氧化物半导体材料层(23)为IGZO、ITZO或ZnO氧化物半导体薄膜。

5.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征 在于，该栅极绝缘层(22)和该蚀刻阻挡材料层(24)为氧化硅、氮化硅或氮氧化 硅薄膜。

6.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征 在于，栅极金属材料层和该源漏金属材料层(25)为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、 Cu金属或合金。

7.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，该氧化物薄膜晶体管 阵列基板通过权利要求1至6任一项所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制 作方法制作形成。

8.一种液晶显示面板，包括彩色滤光片基板和氧化物薄膜晶体管阵列基 板以及夹置在该彩色滤光片基板与该氧化物薄膜晶体管阵列基板之间的液晶 层，其特征在于，该氧化物薄膜晶体管阵列基板为权利要求7所述的氧化物 薄膜晶体管阵列基板。