[发明专利]传感器的制造方法及传感器

权利要求书

1.一种传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有模穴的模具；

在所述模穴中配置至少一芯片，其中所述至少一芯片具有相对的主动面与背面，所述主动面朝向所述模穴的底面；

将高分子材料填入所述模穴中，以覆盖所述芯片的所述背面；

进行热处理，使得所述高分子材料固化为高分子基板；

进行脱模处理，使得所述高分子基板从所述模穴分离出来；以及

在所述高分子基板的第一表面上形成多条导线，其中所述导线与所述至少一芯片电性连接。

2.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，在所述高分子基板的所述第一表面上形成所述导线之后，还包括：在所述至少一芯片上形成高分子微流道结构。

3.根据权利要求2所述的传感器的制造方法，其特征在于，在所述至少一芯片上形成所述高分子微流道结构之前，还包括：在所述高分子基板的所述第一表面上形成保护层，所述保护层具有开口，所述开口至少暴露出所述至少一芯片的感测区。

4.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述高分子基板的所述第一表面与所述芯片的所述主动面为共平面。

5.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述高分子材料包括热固性树脂材料。

6.根据权利要求5所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述热固性树脂材料包括环氧树脂、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯或其组合。

7.根据权利要求1所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述至少一芯片包括晶体管式芯片、表面声波式芯片、二极管式芯片、半导体电阻式芯片、微机电式芯片或其组合。

8.根据权利要求7所述的传感器的制造方法，其特征在于，所述晶体管式芯片包括高速电子迁移率晶体管、硅基晶体管、奈米线晶体管、奈米碳管晶体管、石墨烯晶体管、二硫化钼晶体管或其组合。

9.一种传感器，其特征在于，包括：

高分子基板；

至少一芯片，内埋在所述高分子基板中，其中所述至少一芯片具有相对的主动面与背面，所述主动面外露在所述高分子基板的第一表面；

多条导线，配置在所述高分子基板上，其中所述导线与所述至少一芯片电性连接；以及

高分子微流道结构，配置在所述至少一芯片上且与所述至少一芯片物理接触，其中所述至少一芯片的感测区外露于所述高分子微流道结构中的通道。

10.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，其中所述导线彼此电性隔离，且所述导线包括：

第一导线，与源极端电性连接；

第二导线，与漏极端电性连接，其中所述源极端与所述漏极端彼此分隔，而栅极端位于所述源极端与所述漏极端之间；以及

第三导线，具有所述感测区。

11.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，所述高分子基板的所述第一表面与所述芯片的所述主动面为共平面。

12.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，所述至少一芯片包括晶体管式芯片、表面声波式芯片、二极管式芯片、半导体电阻式芯片、微机电式芯片或其组合。

13.根据权利要求12所述的传感器，其特征在于，所述晶体管式芯片包括高速电子迁移率晶体管、硅基晶体管、奈米线晶体管、奈米碳管晶体管、石墨烯晶体管、二硫化钼晶体管或其组合。