[发明专利]用于制造有机电致发光显示器的方法有效
申请号: | 201610105190.2 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN105633124B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 白承汉;吴永茂;李贞源 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 有机 电致发光 显示器 方法 | ||
公开一种用于制造有机电致发光显示器的方法,所述方法包括:在包括第一像素区域的基板上形成第一塑料层;将第一塑料层图案化以在第一像素区域中形成第一开口;在具有第一开口的第一塑料层上形成第一有机发光层;以及从基板去除第一塑料层,以在第一开口中形成第一有机发光图案。基板包括第二和第三像素区域,所述方法还包括:将第一塑料层图案化,以分别在第一、第二和第三像素区域中形成第一、第二和第三开口;通过对应于第一开口放置遮蔽掩模的开口部,在第一开口中形成第一有机发光层;通过改变或移动遮蔽掩模并对应于第二和第三开口放置遮蔽掩模的开口部,分别在第二和第三开口中依次形成第二和第三有机发光层。
本申请是申请号为201310522365.6、申请日为2013年10月29日、发明名称为“用于制造有机电致发光显示器的方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置及其制造方法。
背景技术
有机电致发光装置是一种平板显示器,其具有亮度高和驱动电压低的优点。此外,有机电致发光装置由于是自发光类型而具有高对比度、薄外形、不受限制的视角以及低温下的稳定性,由于约几微妙的响应速度而易于显示图像,并且由于DC 5V至15V的低驱动电压而便于制造和设计驱动电路。
因此,有机电致发光装置被用作诸如TV、监视器和移动电话之类的各种IT装置。
有机电致发光装置包括阵列器件和有机发光二极管。阵列器件包括连接至栅极线和数据线的开关薄膜晶体管以及连接至有机发光二极管的驱动薄膜晶体管。有机发光二极管包括连接至驱动薄膜晶体管的第一电极、有机发光层和第二电极。
从有机发光二极管发出的光朝着第一电极或第二电极行进,以显示图像。考虑到开口率,采用朝着第二电极发射光的顶发射型有机电致发光装置。
如上所述的有机电致发光装置的有机发光层通过热沉积方法而形成,其中采用由金属材料制成的遮蔽掩模来执行热沉积方法。
图1是示出根据现有技术采用遮蔽掩模的热沉积方法的示意图。
粉末形式的有机发光材料51位于具有加热装置的沉积装置50中。在真空腔室中,当操作加热装置以加热沉积装置50时,热量被传递给有机发光材料51,使得有机发光材料51升华。有机发光材料气体52通过沉积装置50的出口散发,并通过在沉积装置50的出口上方具有多个开口部OA1、OA2的遮蔽掩模30而选择性地沉积在基板70上,从而在基板70上形成有机发光层。
关于遮蔽掩模30的制造,利用例如包括光致抗蚀剂沉积、曝光、显影和蚀刻的掩模工艺,在顶表面和底表面上对金属板进行图案化,从而形成开口部OA1、OA2以及位于相邻开口部OA1、OA2之间的遮蔽部SA。位于顶表面区域的开口部OA1具有与位于底表面的开口部0A2不同的面积。
用于形成遮蔽掩模30的图案化工艺与遮蔽掩模30的金属材料的蚀刻速率以及遮蔽掩模30的厚度t有关。在沿一个方向蚀刻遮蔽掩模30的情况下,每个开口部OA1、OA2的尺寸差异出现得很多,并且由于每个位置的开口部OA1、OA2之间的面积差异导致的误差出现得很多。为了防止上述现象,对顶表面和底表面同时执行蚀刻。
相应地,开口部OA1、OA2的面积,更具体地说是宽度(开口部在面向基板70的表面的宽度)需要至少32μm,以便使得上述宽度落入允许的制造误差范围内。
在面向基板70的开口部的宽度A小于32μm的情况下,如果遮蔽掩模30的厚度t为常数(例如t=40μm),则位于遮蔽掩模30的底表面的开口部OA2具有更大的面积。在这种情况下,在相邻开口部OA2之间的部分,即肋部的宽度非常小,这导致遮蔽掩模30的硬度降低,因而当遮蔽掩模30下垂时,开口部会出现变形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的