[发明专利]像素结构及其驱动方法、显示装置有效
申请号: | 201610105448.9 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN105511190B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 缪应蒙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种像素结构及其驱动方法、显示装置,涉及显示领域,能够决了现有大尺寸显示产品像素充电率不足的问题。本发明的像素结构,包括:数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述数据线连接至所述薄膜晶体管的源极,所述薄膜晶体管的漏极连接至所述像素电极,还包括:辅助电容和第一控制信号线,所述辅助电容的第一电极连接至所述像素电极,第二电极连接至所述第一控制信号线;所述辅助电容用于,在所述薄膜晶体管开启时接收并存储来自所述数据线的像素电压信号,在所述薄膜晶体管关闭且所述第一控制信号线上的电压抬高时,向所述像素电极进行像素电压信号的补加载。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种像素结构及其驱动方法、显示装置。
背景技术
阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,GOA)技术,是直接将栅极驱动电路(Gate driver ICs)集成在阵列基板上,来代替外接驱动芯片的一种工艺技术。该技术的应用不仅可减少生产工艺程序,降低产品成本,提高集成度,而且可以做到面板两边对称的美观设计,同时也省去了栅极电路(Gate IC)的邦定区域以及扇出(Fan-out)布线空间,从而可实现窄边框的设计,提高产能和良品率。
目前对于ADS(Advanced-Super Dimensional Switching,高级超维场开关技术)显示模式的液晶屏,小尺寸产品实现GOA并不困难,因为小尺寸产品负载小,充电率不是问题;但对于大尺寸UHD(Ultra High Definition Television,超高清)产品,如65UHD等大尺寸GOA产品,由于负载大,像素充电率往往成为设计瓶颈,尽管目前GOA驱动电路结构多种多样,但要满足充电率设计要求还是比较困难。
发明内容
本发明提供一种像素结构及其驱动方法、显示装置,解决了现有显示产品(尤其是大尺寸GOA产品)像素充电率不足的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供一种像素结构,包括:数据线、薄膜晶体管和像素电极,所述数据线连接至所述薄膜晶体管的源极,所述薄膜晶体管的漏极连接至所述像素电极,还包括:辅助电容和第一控制信号线,所述辅助电容的第一电极连接至所述像素电极,第二电极连接至所述第一控制信号线;所述辅助电容用于,在所述薄膜晶体管开启时接收并存储来自所述数据线的像素电压信号,在所述薄膜晶体管关闭且所述第一控制信号线上的电压抬高时,向所述像素电极进行像素电压信号的补加载。
可选地,所述第一控制信号线在所述薄膜晶体管的开启时段输出第一电平,在所述薄膜晶体管关闭至本帧信号结束前的时段输出第二电平,所述第二电平大于所述第一电平。
优选地,所述的像素结构还包括:与所述薄膜晶体管的栅极相连的栅线;驱动所述栅线的GOA驱动单元中,其第一节点的电压在对应行栅线开启之后跳变为高电平;所述第一控制信号线连接至所述第一节点。
优选地,所述GOA驱动单元采用直流模型,所述第一节点为下拉节点。
可选地,所述第一控制信号线平行于栅线设置。
可选地,所述第一控制信号线与栅线同层设置。
优选地,所述第一控制信号线的一部分充当所述辅助电容的第二电极。
优选地,所述辅助电容的第一电极与所述薄膜晶体管的源极及漏极同层设置,或者,所述辅助电容的第一电极与所述像素电极同层设置,
本发明实施例还提供一种显示装置,具有上述任一项所述的像素结构。
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