[发明专利]一种锗晶体应力消除方法在审
| 申请号： | 201610105897.3 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105603534A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吕远芳 | 申请（专利权）人： | 吕远芳 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/08 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 072200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 应力 消除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗晶体应力消除方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、对锗晶体进行清洗；采用30℃的纯水进行表面清洗，然后用清洗机再次清洗，待锗晶体表面温度达到20-30℃时，用酒精擦拭锗晶体表面；
B、将晶体放入晶体退火炉内的坩埚，用真空泵将退火炉内的气压抽至5Pa以内，然后给退火炉充入惰性气体；
C、采用欧陆表对退火炉内温度进行升温和降温控制，首先从常温以每分钟0.45℃的升温速度升至500℃，然后在00℃下恒温保持10小时，然后再以每分钟0.4℃的降温速度降至常温。
2.根据权利要求1所述的锗晶体应力消除方法，其特征在于：所述惰性气体为消除方法。
3.根据权利要求1所述的锗晶体应力消除方法，其特征在于：所述退火炉包括设置于所述退火炉内的采用圆柱形石墨加热器形成的环形热场，所述热场直径为600mm,高度为510mm。
4.根据权利要求3所述的锗晶体应力消除方法，其特征在于：所述坩埚为石墨承托坩埚，其直径为530mm，高为210mm，放置于热场中心。
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