[发明专利]一种自偏置带隙基准源电路

权利要求书

1.一种自偏置带隙基准源电路，包括：

电压检测电路，用于检测基准输出电压的变化并输出至运放；

运放，将该电压变化予以放大后去驱动电流镜像单元，该运放具有自偏置 结构，以使该运放在启动电路开启时能够产生偏置电流，从而使该运放开始工 作；

电流镜像单元，将放大后的电压变化反馈至该运放以使电压变化减小，并 将稳定的电流送至输出电路；

输出电路，用于产生稳定的基准电压。

2.权利要求1所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：所述运放 由第一PMOS管、第二PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS 管、第二NMOS管、第三NMOS管组成的两级运放构成。

3.权利要求2所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该第一 PMOS管、第二PMOS管源极接电源，该第一PMOS管、第二PMOS管栅极互 连，并连接至该第二PMOS管漏极，该第一PMOS管漏极接该第五PMOS管与 第六PMOS管源极，该第五PMOS管漏极接该第一NMOS管漏极，该第一NMOS 管栅漏互连，并连接至该第二NMOS管栅极，该第六PMOS管漏极接第二NMOS 管漏极与该第三NMOS管栅极，该第六PMOS管栅极与该第五PMOS管栅极接 该电流镜像单元及电压差检测电路，该第二PMOS管漏极接该电流镜像单元， 该第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管源极接地。

4.权利要求3所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该第二 PMOS管与该第三NMOS管形成该自偏置结构，该第二PMOS管漏极与该第三 NMOS管漏极相连。

5.权利要求4所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该电流镜 像单元包括第三PMOS管、第四PMOS管以及第七PMOS管。

6.权利要求5所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该第三 PMOS管、第四PMOS管及第七PMOS管源极接电源，该第三PMOS管与第七 PMOS管漏极接电压差检测电路，该第三PMOS管、第七PMOS管以及第四 PMOS管栅极接该第二PMOS管漏极，该第四PMOS管漏极接该输出电路。

7.权利要求6所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该电压检 测电路包括第一三极管、第二三极管以及第一电阻、第二电阻、第三电阻。

8.权利要求7所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该第二电 阻一端接该第一三极管的发射极，另一端接地，该第一三极管的发射极与该第 五PMOS管栅极相连，形成第二节点，该第二三极管发射极连接该第一电阻的 一端，该第一电阻的另一端与该第六PMOS管栅极相连，形成第一节点，同时 通过该第三电阻接地，该第一三极管与该第二三极管的集电极与基极接地。

9.权利要求8所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该第一三 极管与该第二三极管为PNP三极管。

10.权利要求8所述的一种自偏置带隙基准源电路，其特征在于：该输出 电路包括第四电阻，该第四电阻一端接该第四PMOS管漏极，另一端接地。