[发明专利]改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法及结构

说明书

技术领域

本发明属于半导体良率提升领域，特别涉及一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法及结构。

背景技术

半导体行业制造日新月异，产品的线宽在不断减小。伴随着线宽的变小可以接受的电路图形的尺寸偏差也越来越窄。均一的电路图形是保证产品可靠性的重要指标。芯片生产过程中，多晶硅是实现逻辑运算的关键结构，多晶硅是以晶粒长大的方式在炉管内生成，整个多晶硅层是由无数硅晶粒堆砌而成。它的生产质量会对整个芯片的性能产生关键的影响，因而对其制备的工艺参数要求的非常严格。

业界现有技术flash的控制栅极多晶硅厚度超过2000埃厚度，后续光刻蚀刻会在其表面生长APF层，其厚度约为3000埃，之后在其上面生长DARC和底部抗反射涂层(BARC,Bottom Anti-Reflective Coating)以及铺设光阻。

实际生产中发现，厚的多晶硅层生长完成后，其表面比较粗糙如图1和2所示，在显微镜下表现为晶粒堆砌形貌。粗糙多晶硅表面在缺陷检测过程中会产生很多的干扰信号，这直接影响到多晶硅生长后的缺陷检测效果，目前针对多晶硅生长层缺陷检测主要通过降低缺陷检测入射光的光强以减小粗糙多晶硅颗粒的干扰信号，同时适当放宽缺陷检测程式的信噪比阀值。该方法可以暂时的改善多晶硅表面大晶粒对缺陷检测的干扰，但这将影响该层缺陷的检测能力，闪存(flash)产品多晶硅层出现的小尺寸缺陷会对后续蚀刻形成均一的控制栅有致命影响，现有针对多晶硅层的缺陷检测方法很难有效的侦测flash厚多晶硅层的缺陷状况，造成良率出现异常。目前没有很好的方法改善flash厚多晶硅层的缺陷检测精度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法及结构，能够提高该层缺检测精度，帮助有效发现生产中出现的问题进而提高产品质量。

为解决上述问题，本发明提供一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法，包括：

在多晶硅生长之后再在其表面铺设BARC表面层；

缺陷检测程式设定焦距使其对所述BARC表面层有最好的缺陷分辨效果；

采用强入射光对多晶硅表面进行检测，并针对信噪比设定较小的阀值。

进一步的，在上述方法中，所述BARC表面层的厚度为200～400埃。

进一步的，在上述方法中，缺陷检测程式设定焦距使其对所述BARC表面层有最好的缺陷分辨效果，包括：

缺陷检测程式根据所述BARC表面层的厚度调整焦距使多晶硅表面成像清晰。

进一步的，在上述方法中，采用强入射光对多晶硅表面进行检测，并针对信噪比设定较小的阀值之后，还包括：

完成缺陷检测后，去除多晶硅表面的BARC表面层。

根据本发明的另一面，提供一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的结构，包括：

多晶硅表面；

铺设于所述多晶硅表面的BARC表面层。

进一步的，在上述结构中，所述BARC表面层的厚度为200～400埃。

与现有技术相比，本发明通过在多晶硅表面铺设BARC表面层，可以减小粗糙多晶硅表面对缺陷检测灵敏度的影响，同时通过缺陷检测程式参数调整至最大程度的提高多晶硅层缺陷检测能力，能够提高缺陷捕获能力和缺检测精度，可以提高缺陷检测灵敏度从传统方法的0.1微米到0.05微米的程度，能够有效监控flash产品多晶硅生长缺陷状况，帮助有效发现生产中出现的问题进而提高产品质量。

附图说明

图1是多晶硅表面不平整TEM照片图；

图2是不平整多晶硅表面示意图；

图3是本发明一实施例的不平整多晶硅表面形成一层BARC结构图；

图4是本发明一实施例的改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

如图3和4所示，本发明提供一种改善闪存产品多晶硅表面缺陷检测灵敏度的方法，包括：

步骤S1，在多晶硅生长之后再在其表面铺设BARC表面层1；优选的，所述BARC表面层的厚度为200～400埃；具体的，BARC表面层铺设过程是流动性的液体，通过过程控制，存在缺陷部位2的多晶硅表被BARC表面层覆盖的厚度较薄，不存在缺陷部位即粗糙部位3的多晶硅表被BARC表面层1覆盖的厚度较厚，以使不存在缺陷部位即粗糙部位3的多晶硅表面平整；