[发明专利]一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备

说明书

本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器、控制器以及ICP设备，该控制方法包括：获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；计算所述电流比为所述期望值时对应的所述第一电容以及所述第二电容的电容值；根据计算结果调节所述第一电容以及所述第二电容的电容值，使得所述内线圈相对于所述外线圈的电流比为所述期望值。控制方法根据所述第一电容以及所述第二电容的电容值与所述电流比之间对应关系，可以快速确定不同电流比时对应的所述第一电容以及所述第二电容的电容值，根据确定的电容值直接调节第一电容以及第二电容以获取电流比的期望值，进而调节功率分配器的电流，达到调整输出功率相对分配的目的。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，更具体的说，涉及一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备。

背景技术

随着微电子机械器件和微电子机械系统(MicroElectromechanical System，简称MEMS)被越来越广泛的应用于汽车和电费电子等领域，硅通孔(Through Silicon Via，简称TSV)刻蚀技术在未来封装领域具有广阔前景，深硅刻蚀工艺逐渐成为MEMS制造领域和TSV技术中最炙手可热的工艺之一。

电感耦合等离子体(ICP)设备是一种MEMS制造领域和TSV技术中的常用设备，ICP设备通过磁场产生等离子体，所述等离子体用于轰击硅晶圆，对硅晶圆进行刻蚀。如何调节磁场是电感耦合等离子体设备领域亟待解决的问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种控制方法、射频功率分配器、控制器以及ICP设备，通过调节所述内线圈相对于所述外线圈的电流比可以调节射频功率分配器的磁场。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种控制方法，用于射频功率分配器，射频功率分配器包括：外线圈、内线圈、第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容；所述外线圈的一端通过所述第一电容连接第一节点，其另一端通过所述第三电容连接第二节点，所述第一节点用于连接射频匹配电路，并通过射频匹配电路连接到射频电源，所述第二节点用于连接接地端；所述内线圈的一端通过所述第二电容连接所述第一节点，其另一端通过所述第四电容连接所述第二节点；

该控制方法包括：

获取所述内线圈相对于所述外线圈的电流比的期望值；

根据预设函数计算所述电流比为所述期望值时对应的所述第一电容以及所述第二电容的电容值；

根据计算结果调节所述第一电容以及所述第二电容的电容值，使得所述内线圈相对于所述外线圈的电流比为所述期望值；

其中，所述第一电容的电容值与所述第二电容的电容值之和为一预设常数；所述第三电容以及所述第四电容的电容值为固定值；所述预设函数是C1＝a*I³+b*I ²+c*I+d，C1为所述第一电容的电容值，a，b，c以及d为常数，I为所述电流比。

优选的，在上述控制方法中，所述计算所述电流比为所述期望值时对应的所述第一电容以及所述第二电容的电容值包括：

在所述电流比为所述期望值时，根据预设函数计算所述第一电容的电容值；

根据所述第一电容的电容值与所述第二电容的电容值的预设关系，计算所述第二电容的电容值。

优选的，在上述控制方法中，所述预设函数的计算方法包括：

将所述第一电容的电容值以所述电流比为变量进行级数展开；

通过实验取点的方法，确定所述第一电容的电容值对应的级数展开式的各个次幂项的系数；