[发明专利]一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法

权利要求书

1.一种解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，包括：

利用一腔体，所述腔体内设有电子吸附装置，用于吸附晶圆，所述电子吸附装置的表面具有密布的微孔以保持一定的粗糙度；

在利用等离子体进行腔体清洁时，使用一隔离片覆盖在电子吸附装置表面，用以避免清洁副产物从隔离片与电子吸附装置表面之间进入并被所述微孔吸附，以使电子吸附装置表面的粗糙度得以保持；

在腔体清洁后进行HDP PSG制程时，将晶圆吸附在电子吸附装置表面，利用所述微孔在电子吸附装置表面与晶圆之间产生的缝隙形成气体流道，通过控制在晶圆与电子吸附装置表面的缝隙之间流入氦气的量，对晶圆进行控温控制，以使晶圆边缘与中心之间的温度保持一致。

2.根据权利要求1所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，在腔体清洁后，使所述隔离片脱离电子吸附装置表面，先利用含氧等离子体对电子吸附装置表面进行处理，以对在腔体清洁时可能吸附在所述微孔中的所述副产物进行去除，然后再进行HDP PSG制程。

3.根据权利要求1或2所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，所述腔体清洁的方式包括：直接在腔体内使用高频发生器解离NF₃产生F离子等离子体进行清洁；或者使用远程等离子体系统将解离好的F离子等离子体导入到腔体内进行清洁。

4.根据权利要求1或2所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，所述隔离片为AlN材质硅片，其形状大小与电子吸附装置表面相对应。

5.根据权利要求2所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，在腔体内使用高频发生器产生含氧等离子体。

6.根据权利要求1或2所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，还包括在进行HDP PSG制程后，对晶圆表面沉积的PSG薄膜进行CMP。

7.根据权利要求1或2所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，所述电子吸附装置中设有冷却装置。

8.根据权利要求7所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，所述冷却装置采用水冷方式。

9.根据权利要求1或2所述的解决HDP PSG制程厚度均一性持续跳高的方法，其特征在于，所述隔离片以贴合方式覆盖在电子吸附装置表面。