[发明专利]氮气反应溅射制备CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器及制作方法

权利要求书

1.一种CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器，其特征在于：

该单色器包括基底(1)，其上面依次层叠有打底层(2)、CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)及保护层(6)；所述CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)由CoCr膜(3)和Sb膜(4)周期性构成。

2.根据权利要求1所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器，其特征在于，所述的基底(1)的材料可为硅片或玻璃。

3.根据权利要求1所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器，其特征在于，所述的打底层(2)镀制在基底(1)上，材料是金属Cr，厚度为5-10纳米。

4.根据权利要求1所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器，其特征在于，所述的CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)镀制在打底层(2)上，所镀制的第一层是CoCr膜(3)，厚度为1-5nm，最后一层是Sb膜(4)，厚度为1-5nm，周期数为50-100，总厚度为200-400纳米。

5.根据权利要求1所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器，其特征在于，所述的保护层(6)镀制在CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)上，材料为C或B₄C，厚度为2-5纳米。

6.一种CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)在硅片或玻璃基底(1)上镀制Cr膜层，作为打底层(2)；

2)在打底层(2)上镀制CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)；

3)在CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)上镀制C或B₄C保护层即可得到CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器。

7.根据权利要求6所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器的制作方法，其特征在于，镀制步骤1)-步骤3)中所述的打底层(2)和CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)均采用磁控溅射方法。

8.根据权利要求6所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器的制作方法，其特征在于，步骤2)中所述的镀制CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)中CoCr膜(3)和Sb膜(4)的厚度比为1:1。

9.根据权利要求6所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器的制作方法，其特征在于，步骤1)-步骤3)中所述的CoCr/Sb周期多层膜人工晶体(5)和保护层(6)所采用的CoCr靶、Sb靶和B₄C靶的纯度均在99.5％以上。

10.根据权利要求6所述的CoCr/Sb极紫外多层膜人工晶体单色器的制作方法，其特征在于，镀制步骤1)中所述的打底层(2)前本底真空优于8×10^-5帕斯卡。