[发明专利]共溅射Mo2C/B4C人工晶体单色器及其制作方法在审
| 申请号： | 201610111541.0 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105698930A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 朱京涛;朱圣明;金长利;朱运平 | 申请（专利权）人： | 苏州宏策光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J3/26 | 分类号： | G01J3/26 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 赵永强 |
| 地址： | 215400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 mo sub 人工 晶体 单色 及其 制作方法 | ||
1.一种共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色器，其特征在于：
该单色器包括基底(1)，其上面依次层叠有打底层(2)、共 溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)及保护层(6)。其中共溅 射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)由共溅射Mo2C膜(3)和 B4C膜(4)周期性构成。
2.根据权利要求1所述的共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色 器，其特征在于，所述的基底(1)的材料可为硅片或玻璃。
3.根据权利要求1所述的共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色 器，其特征在于，所述的打底层(2)镀制在基底(1)上，材料是 金属Zr，厚度为5-10纳米。
4.根据权利要求1所述的共溅射Mo2C/B4C人工晶体单色器，其 特征在于，所述的共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)镀制在 打底层(2)上，所镀制的第一层是共溅射Mo2C膜(3)，厚度约为 1.75nm，最后一层是B4C膜(4)，厚度约为1.75nm，周期数为 150，总厚度为540纳米。
5.根据权利要求1所述的共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色 器，其特征在于，所述的保护层(6)镀制在共溅射Mo2C/B4C周期多 层膜人工晶体(5)上，材料为B4C，厚度为2-5纳米。
6.一种共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色器的制作方法， 其特征在于，该方法包括以下步骤：
1)在硅片或玻璃基底(1)上镀制Zr打底层(2)；
2)在Zr打底层(2)上镀制共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶 体(5)；
3)在共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)上镀制B4C保 护层即可得到共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色器。
7.根据权利要求6所述的共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色 器的制作方法，其特征在于，步骤1)-步骤3)中所述的镀制打底 层(2)，共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)均采用磁控溅 射方法。
8.根据权利要求6所述的共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色 器的制作方法，其特征在于，步骤2)中所述的镀制共溅射 Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)中共溅射Mo2C膜(3)和B4C膜 (4)的厚度比为1:1。
9.根据权利要求6所述的共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单色 器的制作方法，其特征在于，步骤1)-步骤3)中所述的镀制打底 层(2)，共溅射Mo2C/B4C周期多层膜人工晶体(5)和保护层(6) 所采用的共溅射Mo、C靶、B4C靶的纯度均在99.5％以上。
10.根据权利要求6所述的共溅射Mo2C/B4C多层膜人工晶体单 色器的制作方法，其特征在于，步骤1)中所述的镀制打底(2)前 本底真空优于1E-4帕斯卡。
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