[发明专利]半导体器件

说明书

本申请是申请号为201180068920.1(PCT/JP2011/055059)、申请日 为2011年3月4日(进入国家阶段日为2013年9月3日)、发明名称为 “防止电源骤停造成的非易失性存储器的误动作的半导体器件”的发明 专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及包含非易失性存储器的半导体器件，尤其涉及防止非易 失性存储器因电源骤停等进行误动作的半导体器件。

背景技术

近年来，便携电话、个人电脑等的信息终端中搭载闪存等的非易失 性存储器的情况越来越多，与此相伴随，搭载了非易失性存储器的微计 算机、SoC(SystemonChip)的开发也在进行中。

在这样的非易失性存储器尤其是闪存中，改写存储器数据时必须产 生高电压，设置设定改写时的高电压电平信息的内部寄存器。另外，构 成为设置保存改写对象的存储器地址信息的地址锁存电路，根据其信息 选择改写对象存储器单元的字线。

在改写闪存的存储器数据时，在发生电源骤停等时，在内部寄存器 中保存的高电压电平信息、地址锁存电路中保存的存储器地址信息有被 破坏的可能性。

此时，由于如果在系统侧不能检测电源骤停，则不能把握闪存内部 的高电压电平信息、存储器地址信息被破坏了，所以有因产生异常改写 电压、向改写对象存储器单元以外的存储器单元的误写入等而破坏存储 器数据的可能性。作为与此相关的技术，有下述的专利文献1～2中公开 的发明。

专利文献1的目的在于提供即使在高速动作中电源骤停，也可以在 短时间内复原到高速动作的微计算机。电源接通后，确认比较寄存器的 值。在比较寄存器未设定成特定值时，在比较寄存器中设置特定值，同 时在振荡选择寄存器和辅助寄存器中设置用来选择陶瓷振荡器的选择数 据。另一方面，在比较寄存器设定成特定值的状态下电源骤停时，在振 荡选择寄存器13中设置辅助寄存器的值。

专利文献2的问题是，在主存储器全部由非易失性存储器构成时， 如果发生突发的电源切断，则电源再次接通时系统不能正常地再次开始 动作。装置包括电源异常切断判断部和电源异常结束通知寄存器。电源 异常切断判断部在装置的电源接通时参照电源异常结束通知寄存器，电 源异常结束通知寄存器保存表示装置的电源被不正常地切断了的信息， 处理器不是非易失性的处理器时，再次起动在装置的电源被切断之前执 行的工艺，确认器件驱动。另外，电源异常结束通知寄存器保存表示装 置的电源被不正常地切断了的信息，处理器是非易失性的处理器时，从 工艺中断了的处理再次开始在装置的电源切断之前执行的工艺，确认器 件驱动。

现有技术文献

专利文献1：日本特开平11-231965号公报

专利文献2：日本特开2010-108253号公报

发明内容

(发明要解决的问题)

像上述那样，如果在系统侧不能检测电源骤停，则存在可能因产生 异常改写电压、向改写对象存储器单元以外的存储器单元的误写入等而 破坏存储器数据的问题。

另一方面，专利文献1虽然利用比较寄存器检测电源骤停的发生， 进行高速复原动作，但没有公开与该比较寄存器和非易失性存储器的误 动作相关的内容，所以不能解决上述问题。

另外，专利文献2虽然利用电源异常结束通知寄存器判断电源是否 被不正常地切断了，再次起动或再次开始工艺，但与专利文献1同样地， 没有公开与该电源异常结束通知寄存器和非易失性存储器的误动作相关 的内容，所以不能解决上述问题。

本发明正是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供在发生电 源切断时防止非易失性存储器进行误动作的半导体器件。

(用来解决问题的方案)

根据本发明的一实施例，提供一种包含闪存的半导体器件。半导体 器件包含：保存用来控制闪存的动作的值的内部寄存器；在发生电源切 断时，所保持的值变化的电源切断检测用寄存器；以及根据上述内部寄 存器中保存的值控制闪存的动作的控制逻辑电路。控制逻辑电路在通过 电源切断检测用寄存器保持的值的变化检测到电源切断时，再次设定内 部寄存器的值。

(发明的效果)

根据本发明的一实施例，由于控制逻辑电路在通过电源切断检测用 寄存器保持的值的变化检测到电源切断时，再次设定内部寄存器的值， 所以可以防止在发生电源切断时闪存进行误动作。

附图说明