[发明专利]液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示面板。

背景技术

随着移动显示的日益普及，新一代移动显示技术向高画质、高分辨率、轻薄及低功耗 发展。例如，LTPS(LowTemperaturePoly-silicon)技术以其优越的高画质、高分辨率、超 轻薄及低功耗等性能备受广大消费者喜爱，LTPS技术正在逐渐取代传统a-SiTFT技术，成 为新一代显示技术主流。

参见图1，传统LTPS制作过程中需要在玻璃基板10远离偏光片12的一侧上制作一层 金属遮挡层11(LS：LightShield)，所述金属遮挡层11将器件区域覆盖，防止光漏电流产 生，所述器件区域可以为TFT区域。但金属遮挡层11有一定高度和锥形倾斜角度，后续制 作TFT时，多晶硅层13的隔离层14(所述隔离层14例如为二氧化硅层142或氮化硅层141) 覆盖在锥形倾斜区域，也会形成锥形倾斜，使得在锥形倾斜处多晶硅层13容易与金属遮挡 层11发生ESD静电击伤(如图1所示)，造成良率损失。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种液晶显示面板，其能够抑制多晶硅层与遮挡 层的静电击伤，同时节省液晶面板的制程，降低成本。

为了解决上述问题，本发明提供了一种液晶显示面板，包括一基板、设置在所述基板 一表面的偏光片及设置在所述基板另一表面的器件，所述器件形成器件区域，还包括一遮 挡层，设置在所述偏光片内部或偏光片上表面或偏光片下表面，所述遮挡层遮挡所述器件 区域，以防止光漏电流产生。

进一步，所述器件为薄膜晶体管阵列。

进一步，在所述基板另一表面设置有多晶硅层，所述多晶硅层进行掺杂，形成所述薄 膜晶体管阵列的沟道区域。

进一步，在所述多晶硅层与所述基板之间设置有隔离层。

进一步，所述隔离层为二氧化硅层或氮化硅层或两者的组合。

进一步，所述基板为TFT基板，所述液晶显示面板还包括一与所述TFT基板相对的 CF基板，所述TFT基板与所述CF基板之间设置有液晶层。

进一步，在所述CF基板的远离所述TFT基板的一侧的表面设置有一偏光片。

进一步，所述基板为玻璃基板。

进一步，所述遮挡层为金属遮挡层。

本发明的优点在于，在偏光片上制作遮挡层遮挡器件区域，避免在具有一定厚度及锥 形倾斜角度的遮挡层上制作多晶硅层，将遮挡层与多晶硅层分开制作，可以避免现有技术 中在遮挡层表面制作多晶硅层而造成的多晶硅与遮挡层之间的静电击伤，同时减少了传统 LTPS制作工艺的金属遮挡层的制作，节省了一道制程，降低了生产成本。

附图说明

图1是传统LTPS制作过程中的遮挡层位置的示意图；

图2是本发明液晶显示面板的遮挡层位置的示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的液晶显示面板的具体实施方式做详细说明。

参见图2，本具体实施方式以LTPS技术的TFT基板为例进行讲解。

所述液晶显示面板包括一基板20、设置在所述基板20一表面的偏光片21及设置在所 述基板20另一表面的器件(附图中未标示)，所述器件形成器件区域。

在本具体实施方式中，所述基板20为玻璃基板，且所述基板20为TFT基板。在所述 TFT基板的远离偏光片21的一侧的表面形成有薄膜晶体管阵列(附图中未标示)。在本具 体实施方式中，所述器件即为所述薄膜晶体管阵列，所述器件区域即为薄膜晶体管阵列区 域。

在所述薄膜晶体管阵列制作时，在所述基板20的表面形成多晶硅层25，所述多晶硅层 25可进行掺杂，形成所述薄膜晶体管阵列的沟道区域。进一步，在所述基板20与所述多晶 硅层25之间还形成隔离层24，所述隔离层24可以为二氧化硅层或氮化硅层或两者的组合， 在本具体实施方式中，所述隔离层24为远离基板20依次设置的氮化硅层241和二氧化硅 层242。在所述二氧化硅层242表面设置有多晶硅层25。由于在所述基板20的表面直接设 置隔离层24及多晶硅层25，而并未如现有技术所述在基板20表面设置遮挡层，因此，并 不存在遮挡层造成的突起，从而避免了多晶硅层25与遮挡层之间的静电击伤。