[发明专利]一种有机-无机杂化光电化学阳极电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610112247.1 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN105742506B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 孙宝全;崔巍 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/48;H01L51/44
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 李阳
地址: 215100 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 无机 光电 化学 阳极 电极 及其 制备 方法
【说明书】:

发明属于光电化学技术领域,尤其涉及一种有机‑无机杂化光电化学阳极电极及其制备方法,该电极包括背电极,在所述背电极上有硅基底,在所述硅基底上沉积有机共轭分子,其中,硅基底上通过使用偶联剂提高有机共轭分子的不溶性和稳定性,所述偶联剂包括硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、有机铬络合物偶联剂、锆化合物偶联剂中的任意一种或多种,该电极上的有机共轭分子薄膜在水中较稳定,不易脱落,提高了电极性能。

技术领域

本发明属于光电化学技术领域,尤其涉及一种有机-无机杂化光电化学阳极电极及其制备方法。

背景技术

近年来,能源问题日益成为人类社会生存和发展的重大问题。新型能源的利用成为解决能源问题的必要手段。其中光电化学分解水因其能有效的将太阳能转化为化学能进行储存,从而受到人们的广泛关注及研究。硅材料因为其高效的光电转化效果、载流子传输效果、工艺成熟、造价相对低廉等原因,是光伏器件及光电器件的理想材料,同时硅材料也是一种重要的光电化学电极材料。通过将铂、钌、铱等贵金属沉积到硅材料上,能够达到较高的效率,但其造价颇高,并且因贵金属元素地球储量有限,不适用于光电化学电极的大量制造。

将有机共轭分子沉积到硅材料表面,可以制备光电化学电极,避免使用贵金属,实现水的光分解。有机共轭材料可以是聚噻吩(PTH),聚吡咯(PPY),聚苯胺(PANI),聚乙炔(PA),聚对苯乙炔(PPV)等为主干的高分子,因为其在很多反应中的优秀催化表现、可通过溶液旋涂方法制备薄膜、高导电率、低成本等优势,在有机-硅光电化学电极中有一定的应用前景,但由于其薄膜易在水中被破坏、不稳定等原因,为防止薄膜脱落,提高其稳定性,必须对其进行一定的处理。

有鉴于上述的缺陷,本设计人,积极加以研究创新,以期创设一种有机-无机杂化光电化学阳极电极及其制备方法,使其更具有产业上的利用价值。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种有机-无机杂化光电化学阳极电极及其制备方法,该电极上的有机共轭分子薄膜在水中较稳定,不易脱落,提高了电极性能。

本发明提出了一种有机-无机杂化光电化学阳极电极,包括背电极,在所述背电极上有硅基底,在所述硅基底上沉积有机共轭分子,其中,硅基底上通过使用偶联剂提高有机共轭分子的不溶性和稳定性,所述偶联剂包括硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、有机铬络合物偶联剂、锆化合物偶联剂中的任意一种或多种。

进一步的,所述硅烷偶联剂包括γ-(2,3-环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、丙烯酸基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧乙氧基)硅烷、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三叔丁基过氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、苯基氨丙基三甲氧基硅烷、γ-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷中的任意一种或多种。

进一步的,所述钛酸酯偶联剂包括异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基三(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、异丙基二油酸酰氧基(二辛基磷酸酰氧基)钛酸酯、单烷氧基不饱和脂肪酸钛酸酯、双(二辛氧基焦磷酸酯基)乙撑钛酸酯中的任意一种或多种。

进一步的,所述有机共轭分子包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚对苯乙炔、聚环氧烷类中的任意一种或多种、自掺杂或不掺杂的高分子化合物。

进一步的,所述聚噻吩包括聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)、(3,4-乙撑二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)、(3,4-乙撑二氧基噻吩)-聚乙二醇、聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩中的任意一种或多种。

进一步的,所述有机共轭分子为(3,4-乙撑二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。

进一步的,所述硅基底为单晶平底硅或具有表面结构的硅基底。

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