[发明专利]一种放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以 下步骤：

步骤1、利用电子束蒸发方法在衬底上沉积一层金属层；

步骤2、在快速退火炉中对步骤1制备的金属层进行真空退火处理，获得金 属颗粒籽晶层；

步骤3、采用磁控溅射方法在沉积有金属颗粒籽晶层的衬底上进行共溅射， 得到所述的放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，其 特征在于，步骤1中所述金属层的材料为铜或铝，金属层厚度为1-8nm；衬底为 硅片或石英。

3.根据权利要求1所述的放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，其 特征在于，步骤2中真空退火处理的退火温度为300-500℃，所述的保温时间为 20-40min。

4.根据权利要求1所述的放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，其 特征在于，步骤3中进行共溅射所用靶材为金属靶和陶瓷靶，所述金属靶的材料 与籽晶层材料相同，所述陶瓷靶的材料为氧化铝或氮化铝；

共溅射时，所述的金属靶和陶瓷靶采用射频电源驱动，金属靶溅射功率为 1-2W/cm²，陶瓷靶溅射功率为10-15W/cm²。

5.根据权利要求4所述的放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，其 特征在于，所述的溅射气氛为氩气，所述的溅射气压范围为0.1-0.5Pa。

6.根据权利要求4所述的放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，其 特征在于，溅射过程中施加脉冲偏压进行刻蚀，所述的脉冲偏压频率为200-350 kHz，占空比30％到50％，功率密度为0.1-1W/cm²，偏压大小范围为-40V到-80V。

7.根据权利要求4所述的放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜的制备方法，其 特征在于，共溅射沉积时间为20-60min。

8.一种放射状金属纳米线-陶瓷复合薄膜，其特征在于，其采用权利要求1 所述的方法制备。