[发明专利]硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔

权利要求书

1.一种硅与玻璃的阳极键合技术制作尺寸可控的标准漏孔的方法，首先在预处理过的硅片上涂覆一层光刻胶，经全息曝光及ICP浅刻蚀技术在硅片上获得光栅图案；然后在硅片上涂覆一层光刻胶，经湿法腐蚀技术在硅片上获得深槽结构；另取一片预处理过的Pyrex玻璃，将处理后的硅片与玻璃进行氧等离子体轰击处理，然后将硅片与玻璃在一定压力和温度下贴合在一起，经阳极键合技术制得标准漏孔，其特征是按如下步骤操作：

a、取一硅片，经丙酮擦洗后在130℃烘箱中烘烤30min，然后将其放入灰化机中进行氧等离子体轰击处理，提高其表面活化能，增加光刻胶的附着强度；

b、在预处理后的硅片上旋涂一层AZ-701光刻胶，在200℃热台上加热30min后，将硅片全息曝光140s，对曝光后的光刻胶以110℃烘烤固化3min，将固化后的光刻胶放入5‰的NaOH溶液中显影120s后，即可在光刻胶上形成光栅结构图案；

c、在硅片不需加工的区域上涂上一层AZ-701光刻胶，在200℃热台上加热30min后，将其放入ICP中浅刻蚀100s，反应气体为SF₆，将刻蚀后的硅片放入浓H₂SO₄与H₂O₂的混合溶液中浸泡30min去除残胶，经CO₂干燥处理后即可在硅片上获得光栅结构图形；

d、在步骤c获得的硅片不需加工的区域上涂上一层AZ-701光刻胶，在200℃热台上加热30min后，将硅片放在5％的KOH溶液中腐蚀5min，将湿法腐蚀后的硅片放入H₂SO₄与H₂O₂的混合溶液中浸泡30min去除残胶，经CO₂干燥后即可在硅片上获得深槽结构图形；

e、取一块已经加工好孔的Pyrex玻璃，用丙酮擦洗后在130℃烘箱中烘烤30min，完成玻璃的预处理过程；

f、将步骤d获得的硅片和步骤e获得的Pyrex玻璃进行氧等离子体轰击处理，然后将处理后的硅片与Pyrex玻璃在加热温度为450℃、压力为1MPa、所加直流电压为600V的条件下贴合10min，利用阳极键合技术使硅片与Pyrex玻璃结合在一起，制得标准漏孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征是步骤a中对硅片进行氧等离子体处理的真空度为6-8Pa，轰击时间为15min。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征是步骤b中所用的光刻胶的厚度为 180nm，溶剂为甲苯。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征是步骤c、d中所用的光刻胶的厚度为2μm，溶剂为甲苯。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征是步骤b中所获得的光栅结构的线密度为1000线/mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征是步骤c中硅的刻蚀深度为300nm。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征是步骤d中湿法腐蚀所获得的深槽结构的尺寸为长4mm，宽2mm，深5μm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征是步骤f中对硅片和Pyrex玻璃进行氧等离子体处理的真空度为6-8Pa，时间为30min。