[发明专利]基板结构

说明书

技术领域

本发明有关一种半导体结构，尤指一种能提高信赖性及产品良率的基板结构。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前应用于芯片封装领域的技术繁多，例如芯片尺寸构装(Chip Scale Package，简称CSP)、芯片直接贴附封装(Direct Chip Attached，简称DCA)或多芯片模块封装(Multi-Chip Module，简称MCM)等覆晶型态的封装模块、或将芯片立体堆迭化整合为三维积体电路(3D IC)芯片堆迭技术等。

图1为悉知3D芯片堆迭的半导体封装件1的剖面示意图。如图所示，提供一硅中介板(Through Silicon interposer，简称TSI)10，该硅中介板10具有相对的置晶侧10b与转接侧10a、及连通该置晶侧10b与转接侧10a的多个导电硅穿孔(Through-silicon via，简称TSV)100，且该置晶侧10b上具有一线路重布结构(Redistribution layer，简称RDL)11。将间距较小的半导体芯片6的电极垫60通过多个焊锡凸块61电性结合至该线路重布结构11上，再以底胶62包覆该多个焊锡凸块61，且于该导电硅穿孔100上通过多个如焊料凸块的导电元件17电性结合间距较大的封装基板7的焊垫70，之后形成封装胶体8于该封装基板7上，以包覆该半导体芯片6。

具体地，如图1’所示，该硅中介板10的转接侧10a形成有一外露该导电硅穿孔100端面的绝缘层12，并形成绝缘保护层15于该绝缘层12上并外露该导电硅穿孔100端面，再形成凸块底下金属层16于该导电硅穿孔100端面，以结合该导电元件17。

然而，前述悉知半导体封装件1中，当经过高温作业时，例如该导电元件17经回焊后焊接至该焊垫70上，此时因热所产生的残留应力会集中在该多个导电元件17与该多个导电硅穿孔100间的交界面，如图1所示的应力集中处K，使得该多个导电元件17与导电硅穿孔100之间会出现破裂(crack)的情形，因而降低该半导体封装件1的信赖性及产品的良率。

此外，相同问题也可能发生于该半导体芯片6与该线路重布结构11之间的焊锡凸块61上，致使该焊锡凸块61与该线路重布结构11之间会出现破裂(crack)的情形，如图1所示的应力集中处K’。

因此，如何克服上述悉知技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述悉知技术的种种缺陷，本发明提供一种基板结构，能避免该导电元件出现破裂的情形。

本发明的基板结构，包括：基板本体，其具有至少一电性接触垫；至少一绝缘层，其形成于该基板本体上并具有外露该电性接触垫的至少一开孔；至少一导电柱，其设于该开孔中并结合至该电性接触垫上；以及金属接触垫，其设于该导电柱上且电性连接该导电柱。

前述的基板结构中，多个该电性接触垫分别通过该导电柱结合单一该金属接触垫。

前述的基板结构中，单一该电性接触垫上结合有多个该导电柱。

前述的基板结构中，还包括导电线路，其形成于该绝缘层上并接触该金属接触垫与该导电柱。例如，该导电线路与该金属接触垫构成一线路层。

前述的基板结构中，还包括绝缘保护层，其形成于该绝缘层及金属接触垫上，且该绝缘保护层具有外露该金属接触垫的开口。又包括形成于该开口中的金属层、或包括形成于该金属接触垫上的导电元件。

由上可知，本发明的基板结构中，主要通过该导电元件与该电性接触垫之间形成该导电柱与该金属接触垫，以于经过如回焊制程等高温作业时，该导电柱与该金属接触垫可分散因热所产生的残留应力，故相较于悉知技术，本发明的基板结构能避免该导电元件出现破裂的情形，进而提高该基板结构的信赖性及产品的良率。

附图说明

图1为悉知半导体封装件的剖面示意图；

图1’为悉知半导体封装件的局部放大剖面示意图；

图2为本发明的基板结构的第一实施例的剖面示意图；

图2’及图2”为图2的其它实施例的剖面示意图；

图3为本发明的基板结构的第二实施例的剖面示意图；

图3’为图3的局部上视示意图；

图4为本发明的基板结构的第三实施例的剖面示意图；

图4’为图4的局部上视示意图；以及

图5为图2的另一实施例的剖面示意图。

符号说明

1 半导体封装件

10硅中介板

10a 转接侧

10b 置晶侧

100 导电硅穿孔