[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：

向处理室内的衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，

向所述处理室内的所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，

向所述处理室内的所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和

向所述处理室内的所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序，

并且使供给所述第一反应气体的工序中的所述处理室内的压力比供给所述原料气体的工序中的所述处理室内的压力大。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体包含选自胺及有机肼中的至少一种。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二反应气体包含选自NH₃气体、N₂H₂气体、N₂H₄气体及N₃H₈气体中的至少一种。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三反应气体包含选自O₂气体、N₂O气体、NO气体、NO₂气体、O₃气体、H₂气体+O₂气体、H₂气体+O₃气体、H₂O气体、CO气体及CO₂气体中的至少一种。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一反应气体、所述第二反应气体及所述第三反应气体分别利用非等离子体被热活化、从而被供给至所述衬底。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在供给所述第二反应气体的工序中，在利用所述氮化气体产生的反应成为不饱和的条件下，供给所述氮化气体。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在供给所述第三反应气体的工序中，在利用所述氧化气体产生的反应成为不饱和的条件下，供给所述氧化气体。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

供给所述第一反应气体的工序中的所述处理室内的压力以及供给所述第二反应气体的工序中的所述处理室内的压力分别比供给所述原料气体的工序中的所述处理室内的压力大。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

供给所述第一反应气体的工序中的所述处理室内的压力以及供给所述第三反应气体的工序中的所述处理室内的压力分别比供给所述原料气体的工序中的所述处理室内的压力大。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

供给所述第一反应气体的工序中的所述处理室内的压力、供给所述第二反应气体的工序中的所述处理室内的压力以及供给所述第三反应气体的工序中的所述处理室内的压力分别比供给所述原料气体的工序中的所述处理室内的压力大。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述循环包含进行规定次数下述组合的工序，所述组合包含供给所述原料气体的工序和供给所述第一反应气体的工序。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述循环包含进行规定次数下述组合的工序，所述组合包含供给所述原料气体的工序、供给所述第一反应气体的工序和供给所述第二反应气体的工序。