[发明专利]晶闸管触发装置无效

专利信息
申请号: 201610116841.8 申请日: 2016-02-26
公开(公告)号: CN105610301A 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 郭桥石 申请(专利权)人: 广州市金矢电子有限公司
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511447 广东省广州市番禺*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶闸管 触发 装置
【权利要求书】:

1.一种晶闸管触发装置,其包括一限流元件、一单向导通器件、一电容、一半导体开关、一 稳压器件,所述限流元件、所述单向导通器件、所述电容串联而成一串联电路,所述串联电 路的一端与所需驱动的晶闸管的第一端连接,所述串联电路的另一端用于与相对于所述第一 端的另一相电源或中性线连接,所述电容通过所述半导体开关、所述晶闸管的第二端、所述 第一端形成放电回路,所述电容与所述稳压器件并联或所述电容与所述单向导通器件串联而 成的串联电路与所述稳压器件并联。

2.根据权利要求1所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述电容通过所述半导体开关与所述 第二端、所述第一端并联。

3.根据权利要求1所述的晶闸管触发装置,其特征是:通过所述限流元件的电流小于触发所 述晶闸管导通所需的最小触发电流。

4.根据权利要求1所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述稳压器件为一稳压二极管,所述 单向导通器件为一二极管,所述限流元件为一电阻。

5.根据权利要求1所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述半导体开关为一三极管、一光电 耦合器或一光电耦合器驱动晶体管电路。

6.根据权利要求5所述的晶闸管触发装置,其特征是:还包括第二电阻,所述第二电阻串联 在所述电容的放电回路中。

7.根据权利要求1所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述晶闸管为双向晶闸管,所述第一 端为所述双向晶闸管的第一阳极,所述第二端为所述双向晶闸管的触发极。

8.根据权利要求7所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述限流元件与所述单向导通器件连 接,所述另一相电源或所述中性线通过所述限流元件、所述单向导通器件对所述电容负向充 电,所述电容的负向充电端通过所述半导体开关与所述触发极连接,所述电容的另一端与所 述双向晶闸管的第一阳极连接。

9.根据权利要求7所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述电容的负向充电端与所述单向导 通器件的阳极连接,所述电容的另一端与所述限流元件的一端连接,所述限流元件的另一端 用于与所述另一相电源或所述中性线连接,所述单向导通器件的阴极与所述双向晶闸管的第 一阳极连接,所述电容的负向充电端与所述触发极连接,所述电容与所述单向导通器件串联 而成的串联电路与所述半导体开关并联。

10.根据权利要求7所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述第一阳极为电源输入端,所述双 向晶闸管的第二阳极为负载端。

11.根据权利要求1所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述晶闸管为单向晶闸管,所述第一 端为所述单向晶闸管的阴极,所述第二端为所述单向晶闸管的触发极。

12.根据权利要求11所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述另一相电源或所述中性线通过 所述限流元件、所述单向导通器件对所述电容正向充电,所述电容的正向充电端通过所述半 导体开关与所述触发极连接,所述电容的另一端与所述单向晶闸管的阴极连接。

13.根据权利要求11所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述电容的正向充电端与所述单向 导通器件的阴极连接,所述电容的另一端与所述限流元件的一端连接,所述限流元件的另一 端用于与所述另一相电源或所述中性线连接,所述单向导通器件的阳极与所述单向晶闸管的 阴极连接,所述电容的正向充电端与所述触发极连接,所述电容与所述单向导通器件串联而 成的串联电路与所述半导体开关并联。

14.根据权利要求11所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述单向晶闸管的阴极为电源输入 端,所述单向晶闸管的阳极为负载端。

15.根据权利要求1至14中任一权利要求所述的晶闸管触发装置,其特征是:所述晶闸管与 一机械开关并联,所述晶闸管用于所述机械开关灭弧或无涌流接通。

16.根据权利要求1至14中任一权利要求所述的晶闸管触发装置,其特征是:其触发复合开 关的所述晶闸管。

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