[发明专利]一种具有复合结构的氮化物缓冲层在审
| 申请号： | 201610117134.0 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105609603A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈凯轩;姜伟;林志伟;卓祥景;方天足;汪洋;童吉楚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 结构 氮化物 缓冲 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：在衬底上生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长由下层为AlN层和上层为GaN层构成的多组复合结构缓冲层，每一组复合结构缓冲层的厚度相同，多组复合结构缓冲层中的AlN层的厚度沿生长方向逐渐减小直至为零，多组复合结构缓冲层中的GaN层的厚度沿生长方向逐渐增大。
2.如权利要求1所述的一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：每一组复合结构缓冲层的AlN层的厚度小于其应力完全释放时的临界厚度。
3.如权利要求1所述的一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：每一组复合结构缓冲层的GaN层的厚度小于其应力完全释放时的临界厚度。
4.如权利要求1所述的一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：在多组复合结构缓冲层上外延生长功能层。
5.如权利要求4所述的一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：功能层由第一型导电层、有源层、电子阻挡层及第二型导电层构成，在多组复合结构缓冲层上依次外延生长第一型导电层、有源层、电子阻挡层及第二型导电层。
6.如权利要求1所述的一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或者硅衬底。
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