[发明专利]正极及蓄电装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610118122.X 申请日: 2012-04-13
公开(公告)号: CN105679998B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 栗城和贵 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M4/131;H01M4/1391;H01M4/525
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 童春媛;彭昶
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 正极 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种蓄电装置,包括:

衬底;

在所述衬底上的正极集电体;

在所述衬底上的负极集电体;

在所述衬底上且在所述正极集电体上的正极活性物质层;

覆盖所述正极活性物质层的固体电解质层;

与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层;以及

覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜,

其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且

所述钴酸锂具有c轴取向。

2.一种蓄电装置,包括:

衬底;

正极集电体;

负极集电体,其中所述正极集电体及所述负极集电体横向设置在所述衬底上;

部分覆盖所述正极集电体的正极活性物质层;

覆盖所述正极活性物质层的固体电解质层;

与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层;以及

覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜,

其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且

所述钴酸锂具有c轴取向。

3.一种蓄电装置,包括:

衬底;

在所述衬底上的固体电解质层;

与所述固体电解质层接触的正极活性物质层;

与所述固体电解质层接触的负极活性物质层;

在所述正极活性物质层上的正极集电体;

在所述负极活性物质层上的负极集电体;以及

覆盖所述固体电解质层的保护膜,

其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且

所述钴酸锂具有c轴取向。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的蓄电装置,

其中所述衬底为玻璃衬底、石英衬底和云母衬底中的任一种。

5.一种蓄电装置,包括:

正极集电体;

在所述正极集电体上的正极活性物质层;

覆盖所述正极活性物质层的固体电解质层;

在所述固体电解质层上的负极活性物质层;

在所述负极活性物质层上的负极集电体;以及

覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜,

其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且

所述钴酸锂具有c轴取向。

6.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,

其中所述正极集电体包含铂和铝中的任一种。

7.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,

其中所述正极集电体包含不锈钢。

8.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,

其中所述正极集电体包含钛。

9.根据权利要求8所述的蓄电装置,

其中,所述正极活性物质层和所述正极集电体通过X射线衍射仪测定的结果不显示源于氧化钛的峰值。

10.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,

其中所述正极集电体由钛形成。

11.根据权利要求10所述的蓄电装置,

其中,所述正极活性物质层和所述正极集电体通过X射线衍射仪测定的结果不显示源于氧化钛的峰值。

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