[发明专利]正极及蓄电装置的制造方法有效
申请号: | 201610118122.X | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN105679998B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 栗城和贵 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M4/131;H01M4/1391;H01M4/525 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 童春媛;彭昶 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正极 装置 制造 方法 | ||
1.一种蓄电装置,包括:
衬底;
在所述衬底上的正极集电体;
在所述衬底上的负极集电体;
在所述衬底上且在所述正极集电体上的正极活性物质层;
覆盖所述正极活性物质层的固体电解质层;
与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层;以及
覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜,
其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且
所述钴酸锂具有c轴取向。
2.一种蓄电装置,包括:
衬底;
正极集电体;
负极集电体,其中所述正极集电体及所述负极集电体横向设置在所述衬底上;
部分覆盖所述正极集电体的正极活性物质层;
覆盖所述正极活性物质层的固体电解质层;
与所述固体电解质层及所述负极集电体接触的负极活性物质层;以及
覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜,
其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且
所述钴酸锂具有c轴取向。
3.一种蓄电装置,包括:
衬底;
在所述衬底上的固体电解质层;
与所述固体电解质层接触的正极活性物质层;
与所述固体电解质层接触的负极活性物质层;
在所述正极活性物质层上的正极集电体;
在所述负极活性物质层上的负极集电体;以及
覆盖所述固体电解质层的保护膜,
其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且
所述钴酸锂具有c轴取向。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的蓄电装置,
其中所述衬底为玻璃衬底、石英衬底和云母衬底中的任一种。
5.一种蓄电装置,包括:
正极集电体;
在所述正极集电体上的正极活性物质层;
覆盖所述正极活性物质层的固体电解质层;
在所述固体电解质层上的负极活性物质层;
在所述负极活性物质层上的负极集电体;以及
覆盖所述固体电解质层及所述负极活性物质层的保护膜,
其中所述正极活性物质层包含c轴取向的钴酸锂,并且
所述钴酸锂具有c轴取向。
6.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,
其中所述正极集电体包含铂和铝中的任一种。
7.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,
其中所述正极集电体包含不锈钢。
8.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,
其中所述正极集电体包含钛。
9.根据权利要求8所述的蓄电装置,
其中,所述正极活性物质层和所述正极集电体通过X射线衍射仪测定的结果不显示源于氧化钛的峰值。
10.根据权利要求1-3和5中任一项所述的蓄电装置,
其中所述正极集电体由钛形成。
11.根据权利要求10所述的蓄电装置,
其中,所述正极活性物质层和所述正极集电体通过X射线衍射仪测定的结果不显示源于氧化钛的峰值。
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