[发明专利]一种酞菁类化合物及其合成方法和应用在审
| 申请号： | 201610118563.X | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105541850A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 高雪;刘飞;张粲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 林桐苒;李丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 酞菁类 化合物 及其 合成 方法 应用 | ||
1.一种酞菁类化合物，其特征在于，具有如式I所示结构，
其中，A表示过渡金属或稀土金属；R1表示苯基、萘基、C
2.根据权利要求1所述的酞菁类化合物，其特征在于，所述A选自Ni、Zn、Cu、Co、Fe、Mn、Eu、Lu。
3.根据权利要求2所述的酞菁类化合物，其特征在于，所述A选自Cu。
4.根据权利要求1-3任一所述的酞菁类化合物，其特征在于，所述R1选自-C
5.根据权利要求1所述的酞菁类化合物，其特征在于，结构如下：
6.权利要求1-5任一所述酞菁类化合物的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)邻二甲苯与液溴反应，生成4,5-二溴邻二甲苯化合物II；
(2)4,5-二溴邻二甲苯在高锰酸钾作用下生成4,5-二溴邻苯二甲酸化合物III；
(3)4,5-二溴邻苯二甲酸与R1Br在氢氧化钾、催化剂四辛基溴化铵作用下发生反应，生成化合物IV；
(4)化合物IV与氰化亚铜反应生成化合物V；
(5)使化合物V与二异吲哚
其中，A、R1的含义如权利要求1所述。
7.权利要求1-5任一所述酞菁类化合物在有机半导体材料中的应用。
8.一种有机半导体器件，其特征在于，包括电极，绝缘层，半导体层；其中所述半导体层中至少包括一个有机层，所述有机层由至少包括一种权利要求1-5任一所述酞菁类化合物制得。
9.一种权利要求8所述有机半导体器件的制备方法，其特征在于，其中所述有机层采用溶剂熏蒸自组装法、准朗缪尔-谢佛薄膜制备法或滴落涂布法制得。
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