[发明专利]一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法

权利要求书

1.一种氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在其表面上；

(2)将衬底上的钨粉生长为氧化钨纳米花结构体；

(3)将衬底加热退火后，在氧化钨纳米花结构体上掺杂贵金属，得到氢气传感器敏感材料；

(4)在氢气传感器敏感材料两端制备电极，再引线封装，得到氧化钨纳米花氢气传感器；步骤(1)具体包括以下步骤：

(1a)将钨粉铺在加热元表面上；

(1b)将衬底倒扣在钨粉表面；

(1c)在有氧环境中加热并保温，使衬底上生长出氧化钨纳米线，且钨粉贴附在氧化钨纳米线表面上；

步骤(2)具体包括以下步骤：

(2a)将衬底正面朝上，放在有氧的环境中；

(2b)在5Pa的真空度、氧气流量为2.5sccm、氩气流量为200sccm条件下加热并保温衬底，使钨粉生长为氧化钨纳米花结构体。

2.根据权利要求1所述的氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤(1a)之前还包括以下步骤：先将切割好的衬底用清洗液超声波清洗并烘干。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的贵金属为铂、金、钯、镍、银中的任一种。

4.一种氧化钨纳米花氢气传感器，其特征在于：根据权利要求1-3中任一项所述的氧化钨纳米花氢气传感器的制备方法制备而成。