[发明专利]光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法

权利要求书

1.一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于包括如下步骤：将地块翻耕平整后，使用地膜进行全地面覆盖，选用对光周期敏感、晚熟、含低木质素基因的高粱草品种种植；所述对光周期敏感为每日光照时间大于12小时20分钟时；晚熟为生育期多于150天；含低木质素基因指该品种叶片中脉颜色为褐色。

2.根据权利要求1所述的一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于所述地膜厚度0.01mm、幅宽120cm。

3.根据权利要求1所述的一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于所述对光周期敏感、晚熟、含低木质素基因的高粱草品种参数为中文名：大卡，英文名：BigKahuna，超晚熟，生育期：150-180d，植株苗期生长缓慢，出苗需要7~10d，拔节后迅速进入营养生长，茎秆和叶色嫩绿色，茎秆质地柔软多汁，低木质素，实心，叶片中脉表现为褐色。

4.根据权利要求1所述一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于所述种植采用破膜穴播，每穴播种2～3粒，播深2～3cm。

5.根据权利要求1所述一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于所述种植采用春播和复播配合进行，春播收两茬或一茬，复播收一茬，以青贮、青饲和晒干成干草。

6.根据权利要求1或5所述一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于所述春播在4月下旬至5月上旬播种，复播在6月中下旬播种。

7.根据权利要求1或5所述一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于所述青贮在9月底至10月初霜降前收获，青饲和晒制干草在播种后70天或植株高度达120cm以上进行收割第一茬，9月底至10月初霜降前收割第二茬。

8.根据权利要求4所述一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于所述破膜穴播总量为年降雨量不足350mm的半干旱偏旱区以120000～135000穴/hm²左右为宜，年降雨量350～450mm的半干旱区以105000～120000穴/hm²为宜，年降雨量450mm以上的阴湿易旱区以90000～105000穴/hm²左右为宜。

9.根据权利要求1所述一种光敏型低木质素全膜穴播高粱草高产栽培方法，其特征在于种植范围：年降水在250～500mm，海拔在2300m以下的干旱、半干旱、半湿润偏地区。