[发明专利]一种用于垂直结构LED芯片的多层键合方法

权利要求书

1.一种用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于，所述键合方法包括如下步骤：

S1：在键合机的下加热基板与上加热基板之间叠放至少两组待键合结构；所述待键合结构包括目标衬底及叠放于所述目标衬底上的晶片；所述目标衬底与所述晶片相对的一对表面中至少有一个表面形成有用于键合的键合材料层；

S2：通过所述上加热基板及所述下加热基板对所述待键合结构施加压力，并将所述待键合结构加热到预设温度，使每一组待键合结构中的所述目标衬底及晶片通过所述金属层键合，得到至少两组键合结构。

2.根据权利要求1所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：于所述步骤S1中，在键合机的下加热基板与上加热基板之间叠放2-10组待键合结构。

3.根据权利要求1所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：于所述步骤S2中，当所述目标衬底与所述晶片的热膨胀系数不同时，在升降温过程中，上、下加热基板的温度不同，且所述目标衬底与所述晶片中热膨胀系数较大的一个与温度较低的加热基板接触；当所述目标衬底与所述晶片的热膨胀系数相同时，在升降温过程中，上、下加热基板的温度相同。

4.根据权利要求1所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：所述目标衬底为Si衬底，于所述步骤S1中，所述目标衬底与所述晶片相对的一对表面中仅所述晶片表面形成有所述键合材料层，且所述键合材料层选用Au层或AuSi层。

5.根据权利要求1所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：于所述步骤S1中，所述目标衬底与所述晶片相对的一对表面均形成有所述键合材料层。

6.根据权利要求5所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：所述目标衬底选自Si、Mo及CuMoCu衬底中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：所述晶片包括基片及生长于所述基片上的氮化镓外延层；所述基片选自蓝宝石、Si、SiC及氮化镓衬底中的任意一种。

8.根据权利要求5所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：所述目标 衬底与所述晶片相对的一对表面上的键合材料层选自以下任意一种组合：Au层-Si层、Au层-Sn层、Cu层-Sn层、Al层-Ge层、AuSi层-AuSi层、AuSn层-AuSn层、CuSn层-CuSn层、AlGe层-AlGe层、Au层-AuSi层、Au层-AuSn层、Cu层-CuSn层、Al层-AlGe层、AuSi层-Si层、AuSi层-Sn层、CuSn层-Sn层、AlGe层-Ge层。

9.根据权利要求1所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：通过蒸镀法形成所述键合材料层。

10.根据权利要求1所述的用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，其特征在于：键合完毕后，位于上层的键合结构的翘曲度小于位于下层的键合结构的翘曲度。