[发明专利]一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件在审
| 申请号： | 201610119109.6 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105720188A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 韩叶梅;张楷亮;王芳;曹荣荣;张志超 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;C23C14/35;C23C14/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁电 效应 复合 薄膜 存储 元件 | ||
1.一种基于磁电效应的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件，其特征在于： 在Pt/Ti/SiO2/Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构，其中复合衬 底自下而上分别为Si，SiO2，Ti和Pt底电极，具有压电效应的铁电薄膜化学结构 式为0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.3Ca0.7)TiO3(BZT-BCT)，厚度为200-400nm，具有磁 致伸缩效应的薄膜为Fe0.7Ga0.3，厚度为200-400nm。
2.一种如权利要求1所述基于磁电效应的铁电/铁磁薄膜结构的磁电存储元 件的制备方法，其特征在于：其中铁电陶瓷薄膜利用射频磁控溅射制备，铁磁薄 膜由Fe0.7Ga0.3合金靶材利用直流磁控溅射制备，步骤如下：
1)将Pt/Ti/Si/SiO2衬底和BZT-BCT陶瓷靶材一起放入溅射室，抽真空至 (1-2)×10-4，然后通入压强为2-2.5Pa、氩气与氧气的体积比为12:8-9的混合 气，衬底温度为500-700℃、射频功率为50-60w、溅射时间为1.5-4h，从溅射 室取出后在800℃和空气气氛下热处理30分钟，制得铁电陶瓷薄膜；
2)以上述制备的铁电陶瓷薄膜作为衬底和Fe0.7Ga0.3合金靶材一起放入溅 射室，抽真空至(1-2)×10-4，然后通入压强为1-1.5Pa的氩气，氩气流量为 10sccm，射频功率为30-50w、溅射时间为10-30min，从溅射室取出后制得铁 电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件。
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